MOSFET အတွက် အသင့်တော်ဆုံး ယာဉ်မောင်းဆားကစ်ကို ဘယ်လိုရွေးချယ်မလဲ။

MOSFET အတွက် အသင့်တော်ဆုံး ယာဉ်မောင်းဆားကစ်ကို ဘယ်လိုရွေးချယ်မလဲ။

စာတိုက်အချိန်- ဇူလိုင်-၂၅-၂၀၂၄

ပါဝါခလုတ်နှင့် အခြားသော ပါဝါထောက်ပံ့ရေးစနစ် ဒီဇိုင်းပရိုဂရမ်တွင်၊ ပရိုဂရမ်ဒီဇိုင်နာများသည် ကြီးမားသော ကန့်သတ်ဘောင်များစွာကို ပိုမိုအာရုံစိုက်လာမည်ဖြစ်သည်။MOSFETon-off resistor၊ ပိုကြီးသော operating voltage, ပိုကြီးသော power flow ကဲ့သို့သော၊ ဤဒြပ်စင်သော်လည်း၊ဝေဖန်မလျော်ကန်သော နေရာတွင် ထည့်သွင်းစဉ်းစားပါက power supply circuit သည် ကောင်းမွန်စွာ အလုပ်မလုပ်နိုင်တော့သော်လည်း တကယ်တမ်းတွင် ဤအရာသည် ပထမအဆင့်သာဖြစ်ပြီး၊MOSFET ၏ ကိုယ်ပိုင် parasitic parameters များသည် power supply circuit ကို အန္တရာယ်ဖြစ်စေရန် အရေးကြီးသော အရာဖြစ်သည်ဟု ယူဆပါသည်။

MOSFET အတွက် အသင့်တော်ဆုံး ယာဉ်မောင်းဆားကစ်ကို ဘယ်လိုရွေးချယ်မလဲ။

ပါဝါထောက်ပံ့ရေး IC များဖြင့် MOSFET များကို ချက်ခြင်းမောင်းနှင်ခြင်း။

 

ကောင်းသော MOSFET ဒရိုင်ဘာ ဆားကစ်တွင် အောက်ပါ ပြဋ္ဌာန်းချက်များ ရှိသည်။

(1) ခလုတ်ကိုဖွင့်ထားစဉ်တွင်၊ driver circuit သည် အလွန်ကြီးမားသော လျှပ်စီးကြောင်းကို ထုတ်လွှတ်နိုင်သင့်သည်၊ သို့မှသာ MOSFET gate-source-pole လည်ပတ်မှုဗို့အား လိုအပ်သောတန်ဖိုးသို့ လျင်မြန်စွာမြင့်တက်စေရန်၊ လျင်မြန်စွာနှင့် မြင့်တက်လာသော အစွန်းတွင် ကြိမ်နှုန်းမြင့် တုန်ခါမှုများ ရှိမည်မဟုတ်ပါ။

(၂) ပါဝါခလုတ်အဖွင့်အပိတ်ကာလ၊ drive circuit သည် MOSFET gate source-pole လည်ပတ်ဗို့အားကို အချိန်ကြာမြင့်စွာ ထိန်းသိမ်းထားပြီး ထိရောက်သော conduction ကို သေချာစေနိုင်သည်။

(3) drive circuit ၏အခိုက်အတန့်ကိုပိတ်ပါ၊ ခလုတ်ကို အမြန်ပိတ်နိုင်စေရန် MOSFET gate source capacitance operating voltage အတွက် low impedance channel ကို ထောက်ပံ့ပေးနိုင်သည်။

MOSFET အတွက် အသင့်တော်ဆုံး ဒရိုင်ဘာဆားကစ်ကို ဘယ်လိုရွေးချယ်ရမလဲ။

(၄) ပျက်စီးယိုယွင်းမှုနည်းပါးသော drive circuit များကို ရိုးရှင်းပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော တည်ဆောက်မှု။

(၅) သတ်မှတ်ထားသော အခြေအနေအရ အကာအကွယ်ပေးခြင်း။

control module power supply တွင် အသုံးအများဆုံးမှာ power supply IC သည် MOSFET တိုက်ရိုက် drive ဖြစ်သည်။ အပလီကေးရှင်း၊ ပါဝါစီးဆင်းမှု၏အမြင့်ဆုံးတန်ဖိုး၊ MOSFET ဖြန့်ဖြူးမှုစွမ်းရည် 2 ပင်မဘောင်များကိုပိုမိုကြီးမားသော drive ကိုအာရုံစိုက်သင့်သည်။ ပါဝါ IC မောင်းနှင်နိုင်မှု၊ MOS ဖြန့်ဖြူးမှုစွမ်းရည် အရွယ်အစား၊ တွန်းအားခုခံမှုတန်ဖိုးသည် MOSFET ပါဝါကူးပြောင်းမှုနှုန်းကို အန္တရာယ်ဖြစ်စေသည်။ MOSFET ဖြန့်ဖြူးမှုစွမ်းရည်၏ရွေးချယ်မှုသည်အတော်လေးကြီးမားပါက၊ ပါဝါထောက်ပံ့ရေး IC အတွင်းပိုင်း drive စွမ်းရည်မလုံလောက်ပါ၊ မောင်းနှင်နိုင်မှုစွမ်းရည်ကိုမြှင့်တင်ရန် drive circuit တွင်ရှိရမည်၊ ပါဝါထောက်ပံ့ရေး IC drive စွမ်းရည်ကိုမြှင့်တင်ရန် totem pole power supply circuit ကိုမကြာခဏအသုံးပြုပါ။ .


ဆက်စပ်အကြောင်းအရာ