ပါဝါမြင့်သော MOSFET ကို လောင်ကျွမ်းစေသောနည်းဖြင့် ဆုံးဖြတ်နည်း

(1) MOSFET သည် လျှပ်စီးကြောင်းကို ထိန်းညှိပေးသည့် ဒြပ်စင်ဖြစ်ပြီး ထရန်စစ္စတာသည် လက်ရှိ ခြယ်လှယ်သည့် ဒြပ်စင်ဖြစ်သည်။ မောင်းနှင်နိုင်မှု မရရှိနိုင်ပါက drive current သည် အလွန်သေးငယ်သောကြောင့် ရွေးချယ်သင့်ပါသည်။MOSFET; အချက်ပြဗို့အားနိမ့်သည်နှင့်လျှပ်စစ်ငါးဖမ်းစက် drive အဆင့်အခြေအနေများမှလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပိုမိုယူရန်ကတိပြုသည်၊ ထရန်စစ္စတာကိုရွေးချယ်သင့်သည်။

(၂) MOSFET သည် သယ်ဆောင်သူအများစု၏ လျှပ်ကူးပစ္စည်းကို အသုံးပြုခြင်းဖြစ်ပြီး unipolar device ဟုခေါ်တွင်သော transistor သည် carrier အများစုရှိသော်လည်း carrier များ၏ conductive အနည်းငယ်ကို အသုံးပြုပါသည်။ ၎င်းကို bipolar device ဟုခေါ်သည်။

(၃) အချို့MOSFET source နှင့် drain ကိုလဲလှယ်နိုင်သည် gate voltage ကိုအသုံးပြုမှုအတွက်အပြုသဘောသို့မဟုတ်အနုတ်လက္ခဏာဖြစ်နိုင်ပါတယ်, အဆိုပါပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် transistor ထက်ကောင်းသည်။

(4) MOSFET သည် အလွန်သေးငယ်သောလျှပ်စီးကြောင်းနှင့် အလွန်နိမ့်သောဗို့အားအခြေအနေများတွင် လည်ပတ်နိုင်ပြီး ၎င်း၏ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် များစွာသော MOSFETs များကို ဆီလီကွန်ချစ်ပ်တစ်ခုတွင် ပေါင်းစည်းရန် အလွန်အဆင်ပြေနိုင်သောကြောင့် အကြီးစားပေါင်းစပ်ဆားကစ်များတွင် MOSFET များကို တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုခဲ့သည်။

(5) MOSFET သည် မြင့်မားသော input impedance နှင့် low noise တို့၏ အားသာချက်များ ဖြစ်သောကြောင့် အီလက်ထရွန်းနစ် ထောင်ချောက်ကိရိယာ အမျိုးမျိုးတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုပါသည်။ အထူးသဖြင့်နယ်ပယ်အကျိုးသက်ရောက်မှုပြွန်နှင့်အတူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းကိရိယာများ input, output အဆင့်တစ်ခုလုံးကိုလုပ်ဆောင်ရန်, ယေဘုယျ transistor ကိုရယူနိုငျသော function ကိုရောက်ရှိရန်ခက်ခဲသည်။

(၆)MOSFET များကို အနီရောင်လမ်းဆုံ အမျိုးအစား နှင့် လျှပ်ကာတံခါး အမျိုးအစား နှစ်မျိုး ခွဲခြားထားပြီး ၎င်းတို့၏ ခြယ်လှယ်မှု စည်းမျဉ်းများသည် အတူတူပင် ဖြစ်သည်။

အမှန်မှာ၊ triode သည် စျေးသက်သာပြီး အသုံးပြုရပိုအဆင်ပြေသည်၊ ကြိမ်နှုန်းနိမ့်ငါးဖမ်းသမားများ၊ MOSFET၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော မြန်နှုန်းမြင့်ဆားကစ်များ၊ လက်ရှိအချိန်အခါများတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိသောကြောင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် ultrasonic ငါးဖမ်းသမား အမျိုးအစားသစ်သည် မရှိမဖြစ်၊ သည်MOS ကြီးပါ။. ယေဘူယျအားဖြင့်ပြောရလျှင် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော အခါသမယတွင် ယေဘူယျအားဖြင့် ပထမဆုံးအသုံးပြုမှုမှာ ထရန်စစ္စတာအသုံးပြုမှုကို မစဉ်းစားဘဲ MOS ကို စဉ်းစားလိုလျှင် မဟုတ်ပါ။

MOSFET သည် ပြိုကွဲရခြင်းအကြောင်းရင်းများနှင့် ဖြေရှင်းချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

ပထမဦးစွာ MOSFET ကိုယ်တိုင်၏ input resistance သည် အလွန်မြင့်မားပြီး gate - source-electrode capacitance သည် အလွန်သေးငယ်သောကြောင့် ပြင်ပလျှပ်စစ်သံလိုက်စက်ကွင်းများ သို့မဟုတ် electrostatic inductance နှင့် အားသွင်းပြီး အားအနည်းငယ်သာ ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သည်။ inter-electrode capacitance ၌ သင့်လျော်သော မြင့်မားသောဗို့အား (U=Q/C) သည် ပြွန်ပျက်စီးသွားလိမ့်မည်။ လျှပ်စစ်ငါးဖမ်းစက်၏ MOS ထည့်သွင်းမှုတွင် တည်ငြိမ်သောထိန်းသိမ်းမှုအစီအမံများပါရှိသော်လည်း ဂရုတစိုက်ဆက်ဆံရန် လိုအပ်သော်လည်း အကောင်းဆုံးသတ္တုကွန်တိန်နာများ သို့မဟုတ် လျှပ်ကူးပစ္စည်းများထုပ်ပိုးမှုတွင် သိုလှောင်ခြင်းနှင့် ပေးပို့ခြင်းတွင် တည်ငြိမ်မြင့်မားသောဗို့အားကို တိုက်ခိုက်ရန် လွယ်ကူသောနေရာတွင် မထားရှိပါနှင့်။ ဓာတုပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် ဓာတုဖိုက်ဘာအထည်များ။ စည်းဝေးပွဲ၊ တာဝန်ပေးခြင်း၊ အရာများ၊ အသွင်အပြင်၊ အလုပ်ရုံစသည်ဖြင့် ထင်ရှားသောအခြေခံဖြစ်သင့်သည်။ အော်ပရေတာ၏လျှပ်စစ်ဓာတ်အနှောက်အယှက်ဖြစ်ခြင်းမှရှောင်ရှားရန်၊ နိုင်လွန်၊ ဓာတုဖိုက်ဘာအဝတ်အစား၊ လက် သို့မဟုတ် တစ်ခုခုကို မကိုင်တွယ်မီ ပေါင်းစည်းထားသည့် ဘလောက်ကို မ၀တ်သင့်ပါ။ စက်ပစ္စည်းများကို ခဲဖြောင့်ခြင်းနှင့် ကွေးခြင်း သို့မဟုတ် လက်ဖြင့် ဂဟေဆက်ခြင်းအတွက်၊ ထူးထူးခြားခြား မြေစိုက်ရန်အတွက် စက်ကိရိယာများကို အသုံးပြုရန် လိုအပ်ပါသည်။