Gate capacitance၊ on-resistance နှင့် MOSFET များ၏ အခြားသော ကန့်သတ်ချက်များ

I. Gate capacitance

Gate capacitance တွင် အဓိကအားဖြင့် input capacitance (Ciss)၊ output capacitance (Coss) နှင့် reverse transfer capacitance (Crss၊ Miller capacitance) ဟုလည်း ခေါ်သည်။

Input Capacitance (Ciss)-

အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်- input capacitance သည် gate နှင့် source နှင့် drain အကြား စုစုပေါင်း capacitance ဖြစ်ပြီး၊ gate source capacitance (Cgs) နှင့် gate drain capacitance (Cgd) သည် အပြိုင်ချိတ်ဆက်ထားသော Ciss = Cgs + Cgd တို့ ပါဝင်ပါသည်။

လုပ်ဆောင်ချက်- input capacitance သည် MOSFET ၏ switching speed ကို အကျိုးသက်ရောက်သည်။ input capacitance ကို threshold voltage သို့ အားသွင်းသောအခါ၊ ကိရိယာကို ဖွင့်နိုင်သည်။ သတ်မှတ်ထားသော တန်ဖိုးတစ်ခုသို့ ထုတ်လွှတ်လိုက်သည်နှင့် စက်ပစ္စည်းကို ပိတ်နိုင်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ မောင်းနှင်မှုပတ်လမ်းနှင့် Ciss သည် စက်၏အဖွင့်နှင့်အဖွင့်နှောင့်နှေးမှုအပေါ် တိုက်ရိုက်သက်ရောက်မှုရှိသည်။

အထွက်စွမ်းရည် (Coss)-

အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်- output capacitance သည် drain နှင့် source အကြား စုစုပေါင်း capacitance ဖြစ်ပြီး၊ မျဉ်းပြိုင်တွင် drain-source capacitance (Cds) နှင့် gate-drain capacitance (Cgd) ၊ ဆိုလိုသည်မှာ Coss = Cds + Cgd ပါဝင်သည်။

အခန်းကဏ္ဍ- soft-switching applications များတွင် Coss သည် circuit အတွင်းရှိ resonance ဖြစ်စေနိုင်သောကြောင့် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။

Reverse Transmission Capacitance (Crss)-

အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်- ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းနိုင်မှုစွမ်းရည်သည် ဂိတ်ပေါက်ပေါက်စွမ်းရည် (Cgd) နှင့် ညီမျှပြီး Miller capacitance ဟု မကြာခဏ ရည်ညွှန်းသည်။

အခန်းကဏ္ဍ- ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်သည် ခလုတ်၏ အတက်အဆင်းအချိန်များအတွက် အရေးကြီးသော ဘောင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် အဖွင့်နှောင့်နှေးချိန်ကိုလည်း သက်ရောက်မှုရှိသည်။ Drain-source voltage တိုးလာသည်နှင့်အမျှ capacitance တန်ဖိုးသည် ကျဆင်းသွားသည်။

II ခုခံမှု (Rds(on))

အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်- On-resistance သည် သီးခြားအခြေအနေများ (ဥပမာ၊ သီးခြား ယိုစိမ့်နေသော လျှပ်စီးကြောင်း၊ ဂိတ်ဗို့အားနှင့် အပူချိန်) တို့တွင် MOSFET ၏ အရင်းအမြစ်နှင့် ယိုစီးမှုအကြား ခုခံမှုဖြစ်သည်။

လွှမ်းမိုးနိုင်သောအချက်များ- On-resistance သည် ပုံသေတန်ဖိုးမဟုတ်ပါ၊ ၎င်းသည် အပူချိန်၊ အပူချိန်မြင့်မားလေ၊ Rds(on) ကြီးလေလေဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၊ ခံနိုင်ရည်အားမြင့်လေ၊ MOSFET ၏အတွင်းပိုင်းဖွဲ့စည်းပုံသည် ပိုထူလေ၊ သက်ဆိုင်ရာ on-resistance မြင့်မားလေဖြစ်သည်။

အရေးပါမှု- switching power supply သို့မဟုတ် driver circuit ကို ဒီဇိုင်းဆွဲသည့်အခါ MOSFET မှ ဖြတ်သန်းစီးဆင်းနေသော လက်ရှိသည် ဤ resistance အတွက် စွမ်းအင်ကို စားသုံးမည်ဖြစ်သောကြောင့် MOSFET ၏ on-resistance ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်သောကြောင့်၊ ခုခံမှုဆုံးရှုံးမှု။ ခုခံမှုနည်းသော MOSFET ကိုရွေးချယ်ခြင်းသည် ခုခံမှုဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချနိုင်သည်။

တတိယ၊ အခြားအရေးကြီးသောဘောင်များ

Gate Capacitance နှင့် On-resistance အပြင် MOSFET တွင် အခြားသော အရေးကြီးသော ကန့်သတ်ဘောင်များ ရှိသည်-

V(BR)DSS (Drain Source Breakdown Voltage):Drain မှတဆင့် စီးဆင်းနေသော လျှပ်စီးကြောင်းသည် တိကျသော အပူချိန်တစ်ခုတွင် တိကျသော အပူချိန်တစ်ခုသို့ ရောက်ရှိပြီး ဂိတ်ရင်းမြစ်ကို တိုတိုတုတ်တုတ်ဖြင့် ရောက်ရှိသည့် Drain source ဗို့အား။ ဤတန်ဖိုးထက်၊ ပြွန်ပျက်စီးနိုင်သည်။

VGS(th) (Threshold Voltage):အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြားတွင် conducting channel ကို စတင်ဖြစ်ပေါ်စေရန် gate voltage သည် လိုအပ်သည်။ ပုံမှန် N-channel MOSFET များအတွက် VT သည် 3 မှ 6V ခန့်ဖြစ်သည်။

ID (အမြင့်ဆုံး Continuous Drain Current):အမြင့်ဆုံးအဆင့်သတ်မှတ်ထားသော လမ်းဆုံအပူချိန်တွင် ချစ်ပ်မှခွင့်ပြုနိုင်သည့် အမြင့်ဆုံးဆက်တိုက် DC လျှပ်စီးကြောင်း။

IDM (အများဆုံး Pulsed Drain Current):Pulsed current သည် စဉ်ဆက်မပြတ် DC လျှပ်စီးကြောင်းထက် များစွာပိုမိုမြင့်မားသဖြင့် စက်ကကိုင်တွယ်နိုင်သည့် pulsed Current အဆင့်ကို ရောင်ပြန်ဟပ်သည်။

PD (အမြင့်ဆုံးပါဝါ dissipation):စက်ပစ္စည်းသည် အမြင့်ဆုံးပါဝါသုံးစွဲမှုကို လျော့ပါးစေနိုင်သည်။

အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် MOSFET ၏ gate capacitance၊ on-resistance နှင့် အခြားသော parameters များသည် ၎င်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် application အတွက် အရေးပါပြီး သီးခြား application scenarios နှင့် လိုအပ်ချက်များအရ ရွေးချယ်ပြီး ဒီဇိုင်းဆွဲရန် လိုအပ်ပါသည်။