MOSFET စမ်းသပ်မှု၏စီးဆင်းမှု

Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke ရှုထောင့်-MOSFET lekkage၊ kortsluitfouten၊ ontkoppeling၊ versterking။ Als er een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende proces uit te voeren:

1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rode en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de meter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is deMOSFET လက်အိတ်; zal niet veranderen သည် er geen ပြဿနာ၊

2, zal een transmissielijn naar de MOSFET ဂိတ် en bron polen met elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan is de MOSFET is geen ပြဿနာ;

3, de rode pen naar de bron van de MOSFET S, de zwarte pen naar de afvoer van de MOSFET, een goede meter stick marking moet geen grote Armen;

4၊ met een weerstand van 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit moment de waarde van de meterpaal marking ပြီးပါပြီ het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve elektriciteit op base van deze weerstand aan de MOSFET gate batterij opladen, wat resulteert in de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogen sectie veroorzaakt door de poorzaakt door de pometero en multimeter, passe bas bias hoe groter de gezichtshoek, hoe hoger het laden en ontladen kenmerken။