MOSFET ယာဉ်မောင်းပတ်လမ်းကို သင်သိပါသလား။

MOSFET ဒရိုက်ဘာ ဆားကစ်သည် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် ဆားကစ်ဒီဇိုင်း၏ အရေးပါသော အစိတ်အပိုင်းဖြစ်ပြီး MOSFET သည် ကောင်းမွန်စွာနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချစွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ကြောင်း သေချာစေရန် လုံလောက်သော drive စွမ်းရည်ကို ပေးဆောင်ရန် တာဝန်ရှိသည်။ အောက်ပါတို့သည် MOSFET ဒရိုင်ဘာ ဆားကစ်များ၏ အသေးစိတ် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာချက်ဖြစ်သည် ။

I. မောင်းပတ်လမ်း၏အခန်းကဏ္ဍ

လုံလောက်သော မောင်းနှင်နိုင်စွမ်းကို ပေးဆောင်ပါ-drive signal ကို controller (ဥပမာ DSP၊ microcontroller) မှပေးလေ့ရှိသောကြောင့်၊ drive voltage နှင့် current သည် MOSFET ကိုတိုက်ရိုက်ဖွင့်ရန် မလုံလောက်သောကြောင့် drive ၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ကိုက်ညီရန် drive circuit တစ်ခုလိုအပ်ပါသည်။

ကောင်းမွန်သော ကူးပြောင်းမှုအခြေအနေများကို သေချာစေပါ-EMI ပြဿနာများနှင့် အလွန်အကျွံ ကူးပြောင်းမှု ဆုံးရှုံးမှုများကို ရှောင်ရှားရန် MOSFET များသည် ကူးပြောင်းစဉ်တွင် အလွန်မြန်သည် သို့မဟုတ် နှေးကွေးခြင်းမရှိကြောင်း ယာဉ်မောင်းပတ်လမ်းက သေချာစေရန် လိုအပ်သည်။

စက်ပစ္စည်း၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေပါ-switching device ၏ parasitic parameters များရှိနေခြင်းကြောင့်၊ conduction သို့မဟုတ် turn-off လုပ်နေစဉ်အတွင်း voltage-current spikes များကိုထုတ်ပေးနိုင်ပြီး၊ driver circuit သည် circuit နှင့် device ကိုကာကွယ်ရန်အတွက် အဆိုပါ spikes များကို ဖိနှိပ်ရန်လိုအပ်ပါသည်။

II Drive circuit အမျိုးအစားများ

သီးခြားမဟုတ်သောယာဉ်မောင်း

တိုက်ရိုက် Drive-MOSFET ကို မောင်းနှင်ရန် အရိုးရှင်းဆုံးနည်းလမ်းမှာ drive signal ကို MOSFET ၏ဂိတ်ပေါက်သို့ တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်ရန်ဖြစ်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် ယာဉ်မောင်းစွမ်းရည် လုံလောက်ပြီး အထီးကျန်လိုအပ်ချက် မမြင့်မားသော အခါသမယများအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

Bootstrap ပတ်လမ်း-Capacitor ဗို့အားရုတ်တရက်ပြောင်းလဲ၍မရသည့်နိယာမကိုအသုံးပြု၍ MOSFET သည် ၎င်း၏ switching state ကိုပြောင်းလဲသောအခါ ဗို့အားရုတ်တရက်ရုတ်သိမ်းသွားကာ ဗို့အားမြင့် MOSFET ကိုမောင်းနှင်သည်။ ဤနည်းလမ်းကို MOSFET နှင့် ဘုံမြေကိုမမျှဝေနိုင်သောကိစ္စများတွင် အသုံးများသည်။ BUCK ဆားကစ်များကဲ့သို့သော driver IC ။

သီးခြားယာဉ်မောင်း

Optocoupler သီးခြားခွဲထားခြင်း-ပင်မပတ်လမ်းမှ drive signal ကို သီးခြားခွဲထုတ်ခြင်းသည် optocouplers များမှတဆင့် ရရှိသည်။ Optocoupler တွင် လျှပ်စစ်အထီးကျန်မှုနှင့် ပြင်းထန်သောဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုဆန့်ကျင်နိုင်စွမ်းရှိသော်လည်း ကြိမ်နှုန်းတုံ့ပြန်မှုမှာ အကန့်အသတ်ရှိနိုင်ပြီး ကြမ်းတမ်းသောအခြေအနေများအောက်တွင် အသက်နှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို လျှော့ချနိုင်သည်။

Transformer isolation-ပင်မပတ်လမ်းမှ drive signal ကိုအထီးကျန်ဖြစ်စေရန်အတွက်ထရန်စဖော်မာများအသုံးပြုခြင်း။ Transformer isolation တွင် ကောင်းမွန်သော ကြိမ်နှုန်းမြင့်တုံ့ပြန်မှု၊ မြင့်မားသော သီးခြားဗို့အား စသည်တို့၏ အားသာချက်များ ရှိသည်၊ သို့သော် ဒီဇိုင်းသည် ရှုပ်ထွေးပြီး ကပ်ပါးဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များကို ခံရနိုင်ချေရှိသည်။

တတိယအချက်၊ မောင်းနှင်ပတ်လမ်း၏ဒီဇိုင်းအချက်များ

Drive ဗို့အား-MOSFET သည် ယုံကြည်စိတ်ချစွာ လုပ်ဆောင်နိုင်စေရန် သေချာစေရန် drive voltage သည် MOSFET ၏ threshold voltage ထက် ပိုများကြောင်း သေချာစေရမည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ MOSFET ကိုမထိခိုက်စေရန် drive ၏ဗို့အားသည်အလွန်မြင့်မားမနေသင့်ပါ။

လက်ရှိမောင်းနှင်ပါ-MOSFET များသည် ဗို့အားမောင်းနှင်သည့် ကိရိယာများဖြစ်ပြီး ဆက်တိုက် မောင်းနှင်နေသော လျှပ်စီးကြောင်းများစွာ မလိုအပ်သော်လည်း၊ အချို့သော switching speed ကိုသေချာစေရန်အတွက် peak current ကို အာမခံရန် လိုအပ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ driver circuit သည် လုံလောက်သော peak current ကို ပေးစွမ်းနိုင်ရပါမည်။

Drive Resistor-drive resistor ကို switching speed ကိုထိန်းချုပ်ရန်နှင့် current spikes များကို ဖိနှိပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ ခုခံမှုတန်ဖိုး၏ရွေးချယ်မှုသည် သတ်မှတ်ထားသောပတ်လမ်းနှင့် MOSFET ၏ဝိသေသလက္ခဏာများပေါ်တွင်အခြေခံသင့်သည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်၊ မောင်းနှင်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုနှင့် circuit စွမ်းဆောင်ရည်ကိုမထိခိုက်စေရန် resistor တန်ဖိုးသည် ကြီးလွန်းခြင်း သို့မဟုတ် သေးငယ်လွန်းခြင်းမဖြစ်သင့်ပါ။

PCB အပြင်အဆင်-PCB အပြင်အဆင်အတွင်း၊ ယာဉ်မောင်းပတ်လမ်းနှင့် MOSFET ဂိတ်ကြားရှိ ချိန်ညှိမှုအလျားကို တတ်နိုင်သမျှတိုစေသင့်ပြီး မောင်းနှင်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ် ကပ်ပါးလျှပ်ကူးမှုနှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိမှုအပေါ် သက်ရောက်မှုကိုလျှော့ချရန်အတွက် ချိန်ညှိ၏အကျယ်ကို တိုးမြှင့်သင့်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ drive resistors ကဲ့သို့သော အဓိကအစိတ်အပိုင်းများကို MOSFET ဂိတ်နှင့် ပိုမိုနီးကပ်စွာထားရှိသင့်သည်။

IV လျှောက်လွှာများ၏ဥပမာများ

MOSFET ဒရိုင်ဘာ ဆားကစ်များကို ပါဝါပံ့ပိုးပေးမှု၊ အင်ဗာတာများနှင့် မော်တာဒရိုက်များကဲ့သို့သော ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာများနှင့် ဆားကစ်အမျိုးမျိုးတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုပါသည်။ ဤအပလီကေးရှင်းများတွင်၊ စက်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ယာဉ်မောင်းဆားကစ်များ၏ ဒီဇိုင်းနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းသည် အရေးကြီးပါသည်။

အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် MOSFET မောင်းနှင်သည့်ပတ်လမ်းသည် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် ဆားကစ်ဒီဇိုင်း၏ မရှိမဖြစ်အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ယာဉ်မောင်းပတ်လမ်းကို ကျိုးကြောင်းဆီလျော်စွာ ဒီဇိုင်းထုတ်ခြင်းဖြင့် MOSFET သည် ပုံမှန်အတိုင်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချစွာ အလုပ်လုပ်ကြောင်း သေချာစေပြီး ဆားကစ်တစ်ခုလုံး၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။