IGBT နှင့် MOSFET ကွာခြားချက်များ

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) နှင့် MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) များသည် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးများသော ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာ နှစ်ခုဖြစ်သည်။ နှစ်မျိုးလုံးသည် အမျိုးမျိုးသော အသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် မရှိမဖြစ် အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သော်လည်း၊ ၎င်းတို့သည် ရှုထောင့်များစွာတွင် သိသိသာသာ ကွဲပြားပါသည်။ IGBT နှင့် MOSFET တို့၏ အဓိက ကွာခြားချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

1. လုပ်ငန်းအခြေခံမူ

- IGBT- IGBT သည် BJT (Bipolar Junction Transistor) နှင့် MOSFET နှစ်ခုလုံး၏ ဝိသေသလက္ခဏာများကို ပေါင်းစပ်ထားပြီး ၎င်းကို ပေါင်းစပ်ကိရိယာတစ်ခုအဖြစ် ဖန်တီးထားသည်။ ၎င်းသည် MOSFET ၏ဂိတ်ဗို့အားမှတဆင့် BJT ၏အခြေခံကိုထိန်းချုပ်သည်၊ ၎င်းသည် BJT ၏ conduction နှင့် cutoff ကိုထိန်းချုပ်သည်။ IGBT ၏ conduction နှင့် cutoff process များသည် အတော်လေးရှုပ်ထွေးသော်လည်း၊ ၎င်းတွင် low conduction voltage losses နှင့် high voltage tolerance တို့ပါရှိသည်။

- MOSFET - MOSFET သည် ဂိတ်ဗို့အားမှတဆင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာအတွင်း လျှပ်စီးကြောင်းကို ထိန်းချုပ်သည့် field-effect transistor တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဂိတ်ဗို့အားသည် အရင်းအမြစ်ဗို့အားထက် ကျော်လွန်သောအခါ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်း အလွှာသည် လျှပ်စီးစီးဆင်းမှုကို ခွင့်ပြုသည်။ အပြန်အလှန်အားဖြင့် gate voltage သည် threshold အောက်တွင်ရှိနေသောအခါ conductive layer ပျောက်သွားပြီး current သည် မစီးဆင်းနိုင်ပါ။ MOSFET ၏လုပ်ဆောင်ချက်သည် လျင်မြန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းများဖြင့် အတော်လေးရိုးရှင်းပါသည်။

2. လျှောက်လွှာဧရိယာများ

- IGBT- ၎င်း၏မြင့်မားသောဗို့အားသည်းခံနိုင်မှု၊ လျှပ်ကူးနည်းဗို့အားဆုံးရှုံးမှုနှင့် မြန်ဆန်သောကူးပြောင်းမှုစွမ်းဆောင်ရည်ကြောင့် IGBT သည် အင်ဗာတာများ၊ မော်တာဒရိုင်ဘာများ၊ ဂဟေဆော်စက်များနှင့် အနှောင့်အယှက်မဖြစ်စေသော ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ (UPS) ကဲ့သို့သော ပါဝါမြင့်မားမှု၊ ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးသောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။ . ဤအပလီကေးရှင်းများတွင် IGBT သည် မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် မြင့်မားသောလက်ရှိ switching လုပ်ငန်းများကို ထိရောက်စွာစီမံခန့်ခွဲသည်။

- MOSFET- MOSFET သည် ၎င်း၏မြန်ဆန်သောတုံ့ပြန်မှု၊ မြင့်မားသောထည့်သွင်းမှုခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ တည်ငြိမ်သောကူးပြောင်းခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစွာဖြင့်၊ ပါဝါနိမ့်သော၊ အမြန်ပြောင်းနိုင်သောအက်ပ်လီကေးရှင်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုလျက်ရှိပါသည်။ . MOSFET သည် ပါဝါနည်း နှင့် ဗို့အားနည်းသော အသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် ထူးထူးခြားခြား ကောင်းမွန်စွာ လုပ်ဆောင်သည်။