MOSFET ၏ ဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်ကို သင်သိပါသလား။

I. အစောပိုင်း အယူအဆများနှင့် စူးစမ်းမှုများ

အဆိုပြုထားသော အယူအဆGerman Lilienfeld မှ field effect transistor အယူအဆကို စတင်မိတ်ဆက်သောအခါ MOSFET ၏တီထွင်မှုကို 1830 ခုနှစ်များအထိ ခြေရာခံနိုင်သည်။ သို့သော်လည်း ဤကာလအတွင်း ကြိုးပမ်းမှုများသည် လက်တွေ့ကျသော MOSFET ကို အကောင်အထည်ဖေါ်ရာတွင် မအောင်မြင်ခဲ့ပေ။

အကြိုလေ့လာမှု-နောက်ပိုင်းတွင်၊ Shaw Teki (Shockley) ၏ Bell Labs နှင့် အခြားသူများက field effect tubes များ တီထွင်မှုကို လေ့လာရန် ကြိုးစားခဲ့ကြသော်လည်း အလားတူ မအောင်မြင်ခဲ့ပေ။ သို့သော်လည်း ၎င်းတို့၏ သုတေသနပြုမှုသည် နောက်ပိုင်းတွင် MOSFET ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အုတ်မြစ်ချခဲ့သည်။

II MOSFET များ၏ မွေးဖွားမှုနှင့် ကနဦးဖွံ့ဖြိုးမှု

သော့ဖြတ်ကျော်ချက်-1960 ခုနှစ်တွင် Kahng နှင့် Atalla တို့သည် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် (SiO2) ဖြင့် bipolar transistor များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည့် MOS field effect transistor (MOS transistor) ကို မတော်တဆ တီထွင်ခဲ့သည်။ ဤတီထွင်မှုသည် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းတွင် MOSFETs ၏တရားဝင်ဝင်ရောက်မှုကို အမှတ်အသားပြုခဲ့သည်။

စွမ်းဆောင်ရည် မြှင့်တင်ခြင်း-ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ MOSFET များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် ဆက်လက်တိုးတက်နေပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဗို့အားမြင့် MOS ၏ လည်ပတ်မှုဗို့အားသည် 1000V သို့ရောက်ရှိနိုင်ပြီး၊ low on-resistance MOS ၏ ခုခံမှုတန်ဖိုးမှာ 1 ohm သာဖြစ်ပြီး၊ လည်ပတ်မှုအကြိမ်ရေသည် DC မှ များစွာသော megahertz အထိရှိသည်။

III MOSFETs နှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ ဆန်းသစ်တီထွင်မှုများကို ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးချခြင်း။

တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်-MOSFET များကို မိုက်ခရိုပရိုဆက်ဆာများ၊ မှတ်ဉာဏ်များ၊ လော့ဂျစ်ဆားကစ်များ စသည်တို့ကဲ့သို့သော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြသည်။ ခေတ်မီ အီလက်ထရွန်နစ် စက်ပစ္စည်းများတွင် MOSFET များသည် မရှိမဖြစ် အစိတ်အပိုင်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။

နည်းပညာဆန်းသစ်တီထွင်မှု-ပိုမိုမြင့်မားသောလည်ပတ်မှုကြိမ်နှုန်းများနှင့်မြင့်မားသောပါဝါအဆင့်များ၏လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန်အတွက် IR သည် ပထမဆုံးပါဝါ MOSFET ကိုတီထွင်ခဲ့သည်။ နောက်ပိုင်းတွင်၊ IGBTs၊ GTOs၊ IPM စသည်တို့ကဲ့သို့သော ပါဝါစက်ပစ္စည်း အမျိုးအစားသစ်များစွာကို မိတ်ဆက်ခဲ့ပြီး ဆက်စပ်နယ်ပယ်များတွင် ပိုမိုတွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုလာခဲ့သည်။

ပစ္စည်းဆန်းသစ်တီထွင်မှု-နည်းပညာများ တိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ MOSFET များကို တီထွင်ဖန်တီးရန်အတွက် ပစ္စည်းများအသစ်များ ရှာဖွေလျက်ရှိသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ပစ္စည်းများသည် ၎င်းတို့၏ သာလွန်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် အာရုံစူးစိုက်မှုနှင့် သုတေသနကို စတင်လက်ခံလာကြသည်။SiC ပစ္စည်းများသည် သမားရိုးကျ Si ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ၎င်းတို့၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော ဂုဏ်သတ္တိများဖြစ်သည့် မြင့်မားသော သိပ်သည်းဆ၊ ဖြိုခွဲမှုနယ်ပယ်အား အစွမ်းသတ္တိနှင့် မြင့်မားသော လည်ပတ်မှုအပူချိန်။

စတုတ္ထ၊ MOSFET ၏ နောက်ဆုံးပေါ်နည်းပညာနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး ဦးတည်ချက်

Dual Gate Transistors-MOSFET များ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုတိုးတက်ကောင်းမွန်လာစေရန်အတွက် အမျိုးမျိုးသောနည်းပညာများကို dual gate transistor များပြုလုပ်ရန် ကြိုးစားနေပါသည်။ Dual gate MOS ထရန်စစ္စတာများသည် single gate နှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုကောင်းသော်လည်း ၎င်းတို့၏ ကျုံ့နိုင်မှုမှာ အကန့်အသတ်ရှိနေဆဲဖြစ်သည်။

ကတုတ်ကျင်းအတိုအကျိုးသက်ရောက်မှု-MOSFET များအတွက် အရေးကြီးသော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး ဦးတည်ချက်မှာ short-channel effect ၏ ပြဿနာကို ဖြေရှင်းရန်ဖြစ်သည်။ Short-channel အကျိုးသက်ရောက်မှုသည် စက်၏စွမ်းဆောင်ရည်၏နောက်ထပ်တိုးတက်မှုကို ကန့်သတ်ထားမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းဒေသများ၏ လမ်းဆုံအတိမ်အနက်ကို လျှော့ချကာ အရင်းအမြစ်နှင့် PN လမ်းဆုံများကို သတ္တု semiconductor အဆက်အသွယ်များဖြင့် အစားထိုးခြင်းဖြင့် ဤပြဿနာကို ကျော်လွှားရန် လိုအပ်ပါသည်။