mosfet လျှောက်လွှာ၏ပတ်လမ်းအခြေအနေ

switching power supply သို့မဟုတ် motor drive circuit တစ်ခုကို ဒီဇိုင်းဆွဲသောအခါmosfet၊ လူအများစုသည် mos transistor ၏ ခံနိုင်ရည်အား၊ အမြင့်ဆုံးဗို့အားနှင့် အမြင့်ဆုံးလျှပ်စီးကြောင်းကို စဉ်းစားကြလိမ့်မည်၊ သို့သော် ထိုမျှသာပင်။ ထိုသို့သော ဆားကစ်တစ်ခု အလုပ်လုပ်နိုင်သော်လည်း ၎င်းသည် အရည်အသွေးမြင့် ဆားကစ်မဟုတ်သည့်အပြင် တရားဝင်ထုတ်ကုန်တစ်ခုအဖြစ် ဒီဇိုင်းထုတ်ရန် ခွင့်မပြုပါ။

အထူးခြားဆုံးသောအင်္ဂါရပ်mosfetswitching ဖြစ်သောကြောင့် power supply နှင့် motor drive circuit များကဲ့သို့သော electronic switching လိုအပ်သော circuit အမျိုးမျိုးတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ ယခုအချိန်တွင် mosfet လျှောက်လွှာပတ်လမ်းအခြေအနေ၊

1, low voltage applications များ

5V ပါဝါထောက်ပံ့မှုကိုအသုံးပြုသောအခါ၊ ရိုးရာ totem တိုင်တည်ဆောက်ပုံကိုအသုံးပြုပါက transistor ၏ဗို့အားကျဆင်းမှုသည် 0.7V ခန့်သာရှိသောကြောင့်၊ နောက်ဆုံးတွင် gate တွင်တင်ထားသောအမှန်တကယ်ဗို့အားသည် 4.3V သာဖြစ်သည်၊ ဤအချိန်တွင်ရွေးချယ်လျှင်၊ ဗို့အား 4.5V ရှိသော mosfet သည် ဆားကစ်တစ်ခုလုံး အန္တရာယ်ရှိမည်ဖြစ်သည်။ 3V သို့မဟုတ် အခြားသော ဗို့အားနိမ့် ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို အသုံးပြုသောအခါ အလားတူပြဿနာမျိုး ပေါ်ပေါက်လိမ့်မည်။

2, ကျယ်ပြန့်ဗို့အား applications များ

ကျွန်ုပ်တို့၏နေ့စဉ်အသက်တာတွင် ကျွန်ုပ်တို့ထည့်သွင်းသည့်ဗို့အားသည် ပုံသေတန်ဖိုးမဟုတ်ပါ၊ ၎င်းသည် အချိန် သို့မဟုတ် အခြားအချက်များကြောင့် ထိခိုက်မည်ဖြစ်သည်။ ဤအကျိုးသက်ရောက်မှုသည် pwm circuit သည် mosfet သို့ အလွန်မတည်မငြိမ်မောင်းနှင်မှုဗို့အားကို ပေးဆောင်စေသည်။ ထို့ကြောင့် မြင့်မားသော gate voltages များတွင် mos transistor များ ဘေးကင်းစွာ လည်ပတ်နိုင်စေရန်၊mosfetsယနေ့ခေတ်တွင် ဂိတ်ဗို့အားကန့်သတ်သည့် တပ်ဆင်ဗို့အားထိန်းကိရိယာများရှိသည်။ ဤအချိန်တွင်၊ ထောက်ပံ့ပေးထားသော drive ဗို့အားသည် regulator ၏ဗို့အားထက်ကျော်လွန်သောအခါ၊ တည်ငြိမ်ပါဝါသုံးစွဲမှုပမာဏသည် သိသာထင်ရှားစွာဖြစ်ပေါ်ပါသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ အကယ်၍ ဂိတ်ဗို့အားသည် resistor ဗို့အားပိုင်းခြားမှုနိယာမကိုအသုံးပြု၍ ရိုးရှင်းစွာလျှော့ချပါက၊ input voltage သည် အတော်လေးမြင့်မားမည်ဖြစ်ပြီး mosfet သည် ကောင်းမွန်စွာအလုပ်လုပ်မည်ဖြစ်သည်။ အဝင်ဗို့အားကို လျှော့ချလိုက်သောအခါတွင်၊ ဂိတ်ဗို့အား မလုံလောက်သဖြင့် စီးဆင်းမှု မပြည့်စုံဘဲ ပါဝါသုံးစွဲမှု တိုးလာပါသည်။