စွမ်းအားမြင့် MOSFET အပူစွန့်ထုတ်သည့်ကိရိယာ၏ ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းအကြောင်း အတိုချုံးပြောပါ။

စွမ်းအားမြင့် MOSFET အပူစွန့်ထုတ်သည့်ကိရိယာ၏ ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းအကြောင်း အတိုချုံးပြောပါ။

စာတိုက်အချိန်- Nov-08-2023

အထူးအစီအစဉ်- အခေါင်းပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ဆားကစ်ဘုတ်အပါအဝင် စွမ်းအားမြင့် MOSFET အပူစွန့်ထုတ်သည့်ကိရိယာ။ ဆားကစ်ဘုတ်ကို ဘူးအတွင်းတွင် စီထားသည်။ ဘေးချင်းကပ် MOSFET အများအပြားကို ပင်ချောင်းများမှတစ်ဆင့် ဆားကစ်ဘုတ်၏ အစွန်းနှစ်ဖက်သို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ၎င်းတွင် compression ပြုလုပ်ရန် ကိရိယာတစ်ခုလည်း ပါဝင်သည်။MOSFETs. MOSFET ကို Casing ၏အတွင်းနံရံရှိအပူ dissipation ဖိအားပိတ်ဆို့ခြင်းနှင့်နီးကပ်စေရန်ပြုလုပ်ထားသည်။ heat dissipation pressure block တွင် ပထမဆုံး လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း ရှိပြီး ၎င်းကို ဖြတ်၍ လည်ပတ်ပါသည်။ ပထမဦးဆုံး လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်းကို ဘေးချင်းကပ် MOSFET များ အများအပြားဖြင့် ဒေါင်လိုက်စီစဉ်ထားသည်။ အိမ်ရာ၏ ဘေးဘက်နံရံတွင် ပထမ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်းနှင့် အပြိုင် ဒုတိယ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်းကို ပံ့ပိုးထားပြီး ဒုတိယ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်းသည် သက်ဆိုင်ရာ MOSFET နှင့် နီးကပ်သည်။ အပူ dissipation ဖိအားဘလောက်ကို ချည်အပေါက်များစွာဖြင့် ပံ့ပိုးထားသည်။ အပူပျံ့စေသောဖိအားဘလောက်ကို ဝက်အူများမှတစ်ဆင့် ဘူး၏အတွင်းနံရံနှင့် မြဲမြံစွာချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဝက်အူများကို casing ၏ဘေးဘက်နံရံရှိချည်ထားသောအပေါက်များမှအပူ dissipation ဖိအားပိတ်ဆို့ခြင်း၏ချည်မျှင်အပေါက်များထဲသို့ ၀ င်ရောက်ပါ။ Casing ၏ အပြင်ဘက်နံရံကို အပူ dissipation groove ပေးထားသည်။ ဆားကစ်ဘုတ်ကို ပံ့ပိုးရန်အတွက် အိမ်ရာအတွင်းနံရံ၏ နှစ်ဖက်စလုံးတွင် ထောက်ကူဘားများကို တပ်ဆင်ထားသည်။ အပူ dissipation ဖိအားဘလောက်ကို အိမ်၏အတွင်းနံရံနှင့် မြဲမြံစွာချိတ်ဆက်ထားသောအခါ၊ ဆားကစ်ဘုတ်သည် အပူ dissipation pressure block နှင့် support bar များ၏ ဘေးဘက်နံရံများကြားတွင် circuit board ကို ဖိထားသည်။ ကြားတွင် insulating film ရှိပါသည်။MOSFETCasing ၏အတွင်းနံရံနှင့် အပူ dissipation ဖိအားပိတ်ဆို့ခြင်းနှင့် MOSFET အကြား insulating film တစ်ခုရှိသည်။ ဘူးခွံ၏ ဘေးဘက်နံရံတွင် ပထမဦးဆုံး လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်းနှင့် ထောင့်မှန်ကျသော အပူပေးပိုက်ကို ပေးထားသည်။ အပူစွန့်ထုတ်သည့်ပိုက်၏ အဆုံးတစ်ဖက်ကို ရေတိုင်ကီတစ်ခု တပ်ဆင်ထားပြီး ကျန်တစ်ဖက်ကို ပိတ်ထားသည်။ ရေတိုင်ကီနှင့် အပူစွန့်ထုတ်သည့်ပိုက်သည် အတွင်းအပေါက်ကို ပိတ်ပြီး အတွင်းပိုင်းကို အအေးပေးစနစ်ဖြင့် ပေးထားသည်။ အပူစုပ်ခွက်တွင် အပူ dissipation ring နှင့် သိုသိုသိပ်သိပ်ချိတ်ဆက်ထားသော အပူ dissipation ring တစ်ခုနှင့် heat dissipation fin တစ်ခုတို့ ပါဝင်ပါသည်။ အပူစုပ်ခွက်ကို အအေးခံပန်ကာနှင့်လည်း မြဲမြံစွာ ချိတ်ဆက်ထားသည်။

တိကျသောအကျိုးသက်ရောက်မှုများ- MOSFET ၏ အပူပျံ့ခြင်းထိရောက်မှုကို တိုးမြှင့်ပြီး ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို မြှင့်တင်ပါ။MOSFET; Casing ၏ အပူပြန့်ပွားမှု အကျိုးသက်ရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးကာ Casing အတွင်း အပူချိန်ကို တည်ငြိမ်အောင် ထိန်းထားရန်၊ ရိုးရှင်းသောဖွဲ့စည်းပုံနှင့်တပ်ဆင်ရလွယ်ကူသည်။

အထက်ပါဖော်ပြချက်သည် လက်ရှိတီထွင်မှု၏နည်းပညာဆိုင်ရာဖြေရှင်းချက်၏ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်မျှသာဖြစ်သည်။ ပစ္စုပ္ပန်တီထွင်မှု၏ နည်းပညာဆိုင်ရာ နည်းလမ်းများကို ပိုမိုရှင်းလင်းစွာ နားလည်နိုင်ရန်၊ ၎င်းကို ဖော်ပြချက်ပါ အကြောင်းအရာများအတိုင်း အကောင်အထည်ဖော်နိုင်သည်။ အထက်ဖော်ပြပါ အရာဝတ္ထုများနှင့် အခြားအရာဝတ္ထုများ၊ ပစ္စုပ္ပန်တီထွင်မှု၏ အင်္ဂါရပ်များနှင့် အားသာချက်များကို ပိုမိုရှင်းလင်းစွာ နားလည်နိုင်စေရန်အတွက်၊ နှစ်သက်ဖွယ်ရာ သင်္ကေတများကို ပူးတွဲပါပုံများနှင့်အတူ အောက်တွင် အသေးစိတ်ဖော်ပြထားပါသည်။

MOSFET

အပူပျံ့စေသောကိရိယာတွင် အခေါင်းပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံ အဖုံး 100 နှင့် ဆားကစ်ဘုတ် 101 ပါ၀င်သည်။ ဆားကစ်ဘုတ် 101 ကို ကာတင်း 100 တွင် စီစဥ်ထားသည်။ ဘေးချင်းကပ် MOSFETs 102 အများအပြားကို ဆားကစ်ဘုတ် 101 ပင်ချောင်းများမှတစ်ဆင့် နှစ်ဖက်စလုံးသို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ၎င်းတွင် MOSFET 102 အား ဖိသိပ်ရန်အတွက် MOSFET 102 သည် အိမ်ရာ 100 ၏ အတွင်းနံရံနှင့် နီးကပ်နေစေရန်အတွက် heat dissipation pressure block 103 ပါ၀င်သည်။ heat dissipation pressure block 103 တွင် ပထမဆုံး လည်ပတ်နေသော ရေချန်နယ် 104 ပါရှိသည်။ ပထမဆုံး လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 104 ကို ဘေးချင်းကပ်လျက် MOSFETs 102 များစွာဖြင့် ဒေါင်လိုက်စီစဉ်ထားသည်။
heat dissipation pressure block 103 သည် MOSFET 102 အား အိမ်ရာ 100 ၏ အတွင်းနံရံကို ဖိထားပြီး MOSFET 102 ၏ အပူတစ်စိတ်တစ်ပိုင်းကို အိမ်ရာ 100 သို့ သယ်ဆောင်သွားပါသည်။ အပူ၏ အခြားအစိတ်အပိုင်းကို heat dissipation block 103 သို့ လည်းကောင်း၊ အိမ်ရာ 100 သည် အပူကို လေထဲသို့ လွင့်စေသည်။ heat dissipation block 103 ၏ အပူကို ပထမ လည်ပတ်နေသော ရေချန်နယ် 104 ရှိ အအေးခံရေမှ ဖယ်ထုတ်ပြီး MOSFET 102 ၏ အပူပျံ့ခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။ 100 သည် heat dissipation pressure block 103 သို့လည်း လုပ်ဆောင်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ heat dissipation pressure block 103 သည် အပူချိန်ကို ပိုမိုလျှော့ချနိုင်သည်။ အိမ်ရာ 100 နှင့် အိမ်ရာ 100 ရှိ အခြားအစိတ်အပိုင်းများ၏ လုပ်ငန်းစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးတက်စေခြင်း၊ casing 100 တွင် အခေါင်းပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံပါရှိသောကြောင့် casing 100 တွင် အပူများ အလွယ်တကူစုပုံခြင်းမပြုနိုင်သောကြောင့် circuit board 101 ကို အပူလွန်ကဲပြီး လောင်ကျွမ်းခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးပါသည်။ အိမ်ရာ 100 ၏ ဘေးဘက်နံရံတွင် ပထမ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 104 နှင့် အပြိုင် ဒုတိယ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 105 နှင့် ဒုတိယ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 105 သည် သက်ဆိုင်ရာ MOSFET 102 နှင့် နီးစပ်ပါသည်။ အိမ်ရာ 100 ၏ အပြင်ဘက်နံရံတွင် heat dissipation groove 108 ပါရှိသည်။ Housing 100 ၏ အပူကို အဓိကအားဖြင့် ဒုတိယ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 105 ရှိ အအေးခံရေမှတဆင့် ဖယ်ထုတ်ပါသည်။ အပူ၏အခြားအစိတ်အပိုင်းသည် အိုးအိမ် 100 ၏ heat dissipation effect ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည့် heat dissipation groove 108 မှတဆင့် ပြန့်ကျဲသွားသည်။ heat dissipation pressure block 103 တွင် threaded hole များစွာဖြင့် ပံ့ပိုးပေးသည် 107။ heat dissipation pressure block 103 သည် ၎င်းနှင့် ဆက်နွှယ်နေပါသည်။ အိုးအိမ် 100 ၏အတွင်းနံရံကိုဝက်အူများမှတဆင့်။ ဝက်အူများကို အိမ်ရာ 100 ၏ ဘေးဘက်နံရံများရှိ ချည်ထားသောအပေါက်များမှ 103 အပူ dissipation pressure block 103 ၏ချည်အပေါက်များထဲသို့ ဝက်အူများ ရစ်ပတ်ထားသည်။

လက်ရှိတီထွင်မှုတွင်၊ ချိတ်ဆက်ထားသောအပိုင်း 109 သည် heat dissipation pressure block 103 ၏အစွန်းမှ ကျယ်ပြန့်လာသည်။ ချိတ်ဆက်ထားသောအပိုင်း 109 ကို ချည်ကြိုးအပေါက်များ 107 နှင့် ထောက်ပံ့ပေးထားသည်။ ချိတ်ဆက်သည့်အပိုင်း 109 သည် အိမ်ရာ 100 ၏အတွင်းနံရံနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ screws မှတဆင့်။ ဆားကစ်ဘုတ် 101 ကို ပံ့ပိုးရန် အိမ်ရာ 100 ၏ အတွင်းနံရံ၏ တစ်ဖက်တစ်ချက်စီတွင် ပံ့ပိုးမှုဘား 106 ကို ပံ့ပိုးပေးထားသည်။ 103 အပူစုပ်ထုတ်မှု ဖိအားတုံး 103 သည် အိမ်ရာ 100 ၏ အတွင်းနံရံနှင့် ဆက်နွှယ်နေသောအခါ၊ ဆားကစ်ဘုတ် 101 ကို ကြားတွင် ဖိထားသည်။ အပူ dissipation pressure block 103 နှင့် support bars 106. တပ်ဆင်နေစဉ်အတွင်း circuit board 101 သည် ပံ့ပိုးမှုဘား 106 ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဦးစွာချထားပြီး အပူစုပ်ထုတ်မှုဖိအားတုံး 103 ၏အောက်ခြေကို ဆားကစ်ဘုတ် 101 ၏အပေါ်ဘက်မျက်နှာပြင်နှင့် ဖိထားသည်။ ထို့နောက်၊ အပူစုပ်ထုတ်မှုဖိအားတုံး 103 ကို အိမ်ရာအတွင်းနံရံတွင် တပ်ဆင်ထားသည်။ ဝက်အူများနှင့် 100 ။ ဆားကစ်ဘုတ် 101 ကို တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ဖယ်ရှားရာတွင် လွယ်ကူချောမွေ့စေရန် အပူစုပ်ထုတ်ခြင်း ဖိအားတုံး 103 နှင့် ပံ့ပိုးမှုဘား 106 အကြားတွင် ကုပ်ချောင်းတစ်ခုအား ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ဖိအားပိတ်ဆို့ 103 ထို့ကြောင့်၊ circuit board 101 မှထုတ်ပေးသောအပူကို heat dissipation pressure block 103 သို့ပို့ဆောင်ပြီး heat dissipation pressure block 103 ကို ပထမ circulating water channel 104 တွင် cooling water ဖြင့် သယ်ဆောင်သွားသောကြောင့် circuit board 101 ကို အပူလွန်ကဲခြင်းမှကာကွယ်ပေးပါသည်။ နှင့်လောင်။ ဖြစ်နိုင်ရင်၊ MOSFET 102 နှင့် အိမ်ရာ 100 ၏ အတွင်းနံရံကြားတွင် insulating film ကို စွန့်ပစ်ပြီး heat dissipation pressure block 103 နှင့် MOSFET 102 အကြား insulating film ကို စွန့်ပစ်သည်။

စွမ်းအားမြင့် MOSFET အပူစွန့်ထုတ်သည့်ကိရိယာတွင် အခေါင်းပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံ ဘောင် 200 နှင့် ဆားကစ်ဘုတ် 202 ပါ၀င်သည်။ ဆားကစ်ဘုတ် 202 ကို ပိုက် 200 တွင် စီစဉ်ထားသည်။ ဘေးချင်းကပ်လျက် MOSFET 202 အများအပြားကို ဆားကစ်၏အစွန်းနှစ်ဖက်စလုံးသို့ အသီးသီးချိတ်ဆက်ထားသည်။ board 202 တွင် pins များမှတဆင့် MOSFET များကိုချုံ့ရန်အတွက် heat dissipation pressure block 203 ပါ၀င်သည် ။ 202 ထို့ကြောင့် MOSFETs 202 သည် အိမ်ရာ 200 ၏ အတွင်းနံရံနှင့် နီးကပ်နေစေရန်။ ပထမဆုံး လည်ပတ်နေသော ရေချန်နယ် 204 သည် heat dissipation pressure block 203 မှတဆင့် လည်ပတ်နေသည်။ ပထမ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 204 ကို ဘေးချင်းကပ်လျက် MOSFETs 202 အများအပြားဖြင့် ဒေါင်လိုက်စီစဉ်ထားသည်။ ခွံ၏ ဘေးဘက်နံရံကို အပူ dissipation ပိုက် 205 ကို ထောင့်မှန်အတိုင်း ပံ့ပိုးထားသည်။ ပထမဆုံး လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 204 နှင့် heat dissipation pipe 205 ၏ အဆုံးတစ်ဖက်ကို အပူပေးထားသည်။ dissipation body 206. အခြားတစ်ဖက်ကို ပိတ်ထားပြီး heat dissipation body 206 နှင့် heat dissipation pipe 205 တို့သည် အတွင်းပိုင်းအပေါက်ကို ပိတ်ထားကြပြီး refrigerant ကို အတွင်းပိုင်းအတွင်းတွင် စီစဉ်ပေးထားသည်။ MOSFET 202 သည် အပူကိုထုတ်ပေးပြီး ရေခဲသေတ္တာကို အငွေ့ပြန်စေသည်။ အငွေ့ပျံသောအခါ အပူဆုံးမှ အပူကို စုပ်ယူသည် (MOSFET 202 အဆုံးနှင့် နီးကပ်သည်)၊ ထို့နောက် အပူပေးဆုံးမှ အအေးခံသည့်အဆုံး (MOSFET 202 စွန်းမှ ဝေးရာသို့) စီးဆင်းသည်။ အအေးခံသည့်အဆုံးတွင် အအေးနှင့် ထိတွေ့သောအခါ၊ ၎င်းသည် ပြွန်နံရံ၏ အပြင်ဘက်အစွန်ဘက်သို့ အပူကို ထုတ်လွှတ်သည်။ ထို့နောက် အရည်သည် အပူပေးသည့် အဆုံးသို့ စီးဆင်းသွားသဖြင့် အပူ dissipation circuit တစ်ခု ဖြစ်လာသည်။ အငွေ့ပျံခြင်းနှင့် အရည်များမှတဆင့် ဤအပူကို စွန့်ထုတ်ခြင်းသည် သမားရိုးကျ အပူလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ အပူကို ခွဲထုတ်ခြင်းထက် များစွာ ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။ heat dissipation body 206 တွင် heat dissipation ring 207 တွင် heat dissipation pipe 205 သို့ ကသိုဏ်း ချိတ်ဆက်ထားသော heat dissipation fin 208 သည် heat dissipation ring 207 သို့ ကသိုဏ်း ချိတ်ဆက်ထားသည်။ heat dissipation fin 208 ကို အအေးခံပန်ကာ 209 နှင့်လည်း အတိအကျ ချိတ်ဆက်ထားသည်။

heat dissipation ring 207 နှင့် heat dissipation pipe 205 သည် ရှည်လျားသော အကွာအဝေး ရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် heat dissipation ring 207 သည် heat dissipation pipe 205 မှ heat dissipation pipe 205 တွင် လျှင်မြန်သော heat dissipation ကို ရရှိရန် heat sink 208 သို့ လျင်မြန်စွာ လွှဲပြောင်းနိုင်ပါသည်။


ဆက်စပ်အကြောင်းအရာ