အခြေခံ MOSFET ခွဲခြားခြင်းနှင့် စမ်းသပ်ခြင်း

1.Junction MOSFET pin ခွဲခြားသတ်မှတ်ခြင်း။

တံခါးဝMOSFET Transistor ၏ အခြေခံဖြစ်ပြီး Drain နှင့် Source သည် စုဆောင်းသူနှင့် ထုတ်လွှတ်သော အရာဖြစ်သည်။သက်ဆိုင်သော transistor. ပင်နံပါတ်နှစ်ခုကြားတွင် ရှေ့နှင့်နောက်ပြန်ခုခံမှုကို တိုင်းတာရန် ဘောပင်နှစ်ချောင်းပါသည့် R×1k ဂီယာအထိ မီလီမီတာ။ two-pin forward resistance = reverse resistance = KΩ၊ ဆိုလိုသည်မှာ source S နှင့် drain D အတွက် pin နှစ်ခု၊ ကျန် pin သည် gate G ဖြစ်သည်။ အကယ်၍ 4 pin ဖြစ်ပါက၊လမ်းဆုံ MOSFETနောက်တစ်ခုကတော့ grounded shield ကိုသုံးပါတယ်။

အခြေခံ MOSFET ခွဲခြားခြင်းနှင့် စမ်းသပ်ခြင်း 拷贝

2.တံခါးကိုသတ်မှတ်ပါ။　

MOSFET မှ ကျပန်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကို ထိရန် multimeter ၏ အနက်ရောင်ဘောပင်ဖြင့် အခြားလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခုကို ထိရန် အနီရောင်ဘောပင်။ တိုင်းတာမှုနှစ်ခုလုံးသည် သေးငယ်ပြီး နှစ်ခုစလုံးသည် အပြုသဘောဆောင်သောခုခံမှုဖြစ်ကြောင်း ညွှန်ပြနေပါက ပြွန်သည် N-channel MOSFET မှဖြစ်ပြီး တူညီသောအနက်ရောင်ဘောပင်အဆက်အသွယ်သည်လည်း ဂိတ်ပေါက်ဖြစ်သည်။

ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်သည် MOSFET ၏ ယိုစီးမှုနှင့် အရင်းအမြစ်သည် အချိုးညီညီဖြစ်ပြီး တစ်ခုနှင့်တစ်ခု ဖလှယ်နိုင်ကာ ဆားကစ်အသုံးပြုမှုကို မထိခိုက်စေဘဲ၊ ဤအချိန်တွင် ဆားကစ်သည် ပုံမှန်ဖြစ်သောကြောင့် သွားရန်မလိုအပ်ပါ။ လွန်ကဲစွာ ခွဲခြားသိမြင်နိုင်စေရန်။ မြောင်းနှင့် ရင်းမြစ်အကြား ခံနိုင်ရည်မှာ ထောင်ဂဏန်း ohms ခန့်ရှိသည်။ insulated gate type MOSFET တံခါးကို ဆုံးဖြတ်ရန် ဤနည်းလမ်းကို အသုံးမပြုနိုင်ပါ။ ဤ MOSFET ၏ input ၏ခံနိုင်ရည်သည် အလွန်မြင့်မားပြီး ဂိတ်ပေါက်နှင့် ရင်းမြစ်ကြားတွင် ဝင်ရိုးစွန်းများအကြား စွမ်းရည်သည် အလွန်သေးငယ်သောကြောင့်၊ အားအနည်းငယ်မျှသာရှိသော ပမာဏကို တိုင်းတာခြင်းသည် ဝင်ရိုးစွန်းနှစ်ခု၏ထိပ်တွင် ဖြစ်ပေါ်နိုင်သည်။ အလွန်မြင့်မားသောဗို့အား၏ capacitance၊ MOSFET သည်ပျက်စီးရန်အလွန်လွယ်ကူလိမ့်မည်။

အခြေခံ MOSFET ခွဲခြားခြင်းနှင့် စမ်းသပ်ခြင်း (၁)

3.MOSFET များ၏ ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းကို ခန့်မှန်းခြင်း။

မာလ်တီမီတာကို R × 100 ဟု သတ်မှတ်သောအခါ၊ အရင်းအမြစ် S ကို ချိတ်ဆက်ရန် အနီရောင်ဘောပင်ကို အသုံးပြုကာ MOSFET သို့ 1.5V ဗို့အား ပေါင်းထည့်ခြင်းနှင့် တူသည့် Drain D ကို ချိတ်ဆက်ရန် အနက်ရောင်ဘောပင်ကို အသုံးပြုပါ။ ဤအချိန်တွင် အပ်သည် DS တိုင်ကြားရှိ ခုခံမှုတန်ဖိုးကို ညွှန်ပြသည်။ ဤအချိန်တွင် G တံခါးကို လက်ချောင်းဖြင့်ထိုးလိုက်ခြင်းဖြင့်၊ ခန္ဓာကိုယ်၏ induced voltage သည် gate သို့ input signal တစ်ခုဖြစ်သည်။ MOSFET ချဲ့ထွင်ခြင်း၏ အခန်းကဏ္ဍကြောင့် ID နှင့် UDS သည် ပြောင်းလဲသွားမည်ဖြစ်ပြီး DS တိုင်ကြားခံနိုင်ရည်မှာ ပြောင်းလဲသွားကြောင်း ဆိုလိုသည်မှာ အပ်တွင် ကြီးမားသောလွှဲလွှဲပမာဏရှိကြောင်း ကျွန်ုပ်တို့ သတိပြုမိနိုင်ပါသည်။ တံခါးကို လက်ဖြင့်ဆွဲလိုက်လျှင် အပ်၏လွှဲမှုသည် အလွန်သေးငယ်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ MOSFET ချဲ့ထွင်နိုင်မှုမှာ အတော်လေးအားနည်းပါသည်။ အပ်တွင် အနည်းငယ်မျှသော လုပ်ဆောင်ချက်မရှိပါက MOSFET ပျက်စီးသွားကြောင်း ညွှန်ပြသည်။