MOSFET ၏ ထိရောက်မှု မရှိခြင်း အကြောင်းရင်းများကို လေ့လာခြင်း။

1၊ ဗို့အားချို့ယွင်းမှုသည် BVdss ဗို့အား၏ရင်းမြစ်များကြားတွင် ယိုစိမ့်မှုအဖြစ် mosfet ၏ သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အားထက်ကျော်လွန်ပြီး mosfet ချို့ယွင်းမှုဆီသို့ ဦးတည်နိုင်မှုအချို့ကို ကျော်လွန်သွားသည်ဟု ဆိုလေ့ရှိသည်။

2၊ Id တွင် ပိုင်းခြားထားသည့် mosfet ဘေးကင်းသော လုပ်ငန်းခွင်အကွာအဝေးထက် ပိုနေသော လက်ရှိပျက်ကွက်မှုသည် စက်ကိရိယာသတ်မှတ်ချက်များကို ကျော်လွန်နေပြီး ၎င်း၏ Id ကြောင့်ဖြစ်ရသည့် ချို့ယွင်းမှုသည် ကြီးလွန်းခြင်း၊ မြင့်မားသော သက်တမ်းကြာရှည်စွာ အပူများစုပုံခြင်းတို့ကို ဖြစ်စေသည်။ စက်ပစ္စည်းနှင့် ချို့ယွင်းမှု။

3၊ တံတားတွင်၊ LLC နှင့် body diode သည် ပျက်စီးပြီး မမှန်ကန်သောကြောင့် လက်ရှိ topology ကိုဆောင်ရွက်ရန်အတွက် body diode နှင့် အခြားသောထိရောက်မှုရှိသည်။

4, အပြိုင်လျှောက်လွှာလုပ်ငန်းစဉ်တွင်, ဂိတ်ပတ်လမ်းကပ်ပါး parameters တွေကိုနှင့်အတူအတက်အကျဆီသို့ဦးတည်ပဲ့တင်ထပ်ရန်ပျက်ကွက်ဖြစ်စေလိမ့်မည်။

5၊ ခြောက်သွေ့သောပတ်ဝန်းကျင်တွင်၊ လူ့ခန္ဓာကိုယ်နှင့် စက်ကိရိယာများနှင့် စက်မှထုတ်ပေးသော ငြိမ်လျှပ်စစ်ဓာတ်များသည် တည်ငြိမ်မှုမရှိနိုင်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။

6. ဂိတ်ဝတွင် ပုံမှန်မဟုတ်သော လည်ပတ်ဗို့အား အထွတ်အထိပ်ကြောင့် ဂိတ်ဗို့အား မမှန်ကန်ပါ။

အထက်ပါအချက်ကိုအခြေခံသည်။MOSFETကျရှုံးခြင်း၏အကြောင်းရင်းများကိုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း၊ ကျွန်ုပ်တို့သည်သက်ဆိုင်ရာလုပ်ဆောင်ခြင်းလုပ်ငန်းများကိုပြုလုပ်သည်၊ အခြားပြဿနာများရှိပါသည်၊ ကျွန်ုပ်တို့ကိုအွန်လိုင်းမှ Guanhua Weiye ကုမ္ပဏီနှင့်တိုင်ပင်ရန် ကြိုဆိုပါသည်၊ သင့်အား ထိရောက်သောအဖြေများနှင့် အရည်အသွေးဝန်ဆောင်မှုသဘောထားကို ပေးစွမ်းနိုင်ပါသည်။
olukeyကုမ္ပဏီသည် "အရည်အသွေးပထမ၊ ဝန်ဆောင်မှုပထမ" ရည်ရွယ်ချက်ကိုလိုက်နာပြီးပြည်တွင်းပြည်ပရှိနည်းပညာမြင့်စီးပွားရေးလုပ်ငန်းများ၊ မူရင်းစက်ရုံတွင်ကောင်းမွန်သောလုပ်ငန်းခွင်ဆက်ဆံရေးကိုထူထောင်ရန်၊ ဖြန့်ဖြူးမှုတွင်နှစ်ပေါင်းများစွာပရော်ဖက်ရှင်နယ်အတွေ့အကြုံနှင့်အတူနှစ်ပေါင်းများစွာအကြွေးကောင်းများနှင့်အတူ၊ အလွန်ကောင်းမွန်သော ဝန်ဆောင်မှု၊ ကျယ်ပြန့်သော ယုံကြည်မှုနှင့် ပံ့ပိုးမှုများကို ရယူပါ။