WST4041 P-ချန်နယ် -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

WST4041 P-Channel -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET အထူးအသားပေးပုံ

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

မော်ဒယ်နံပါတ်-WST4041

BVDSS--40V

RDSON-30mΩ

ID--6A

ချန်နယ်-P-Channel

အထုပ်-SOT-23-3L

ထုတ်ကုန် SummeryWST4041 MOSFET တွင် ဗို့အား -40V၊ လက်ရှိ -6A၊ 30mΩ၊ P-Channel နှင့် SOT-23-3L ထုပ်ပိုးမှု ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

အပလီကေးရှင်းများအီလက်ထရွန်းနစ်စီးကရက်များ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ထုတ်ကုန်များ၊ အသေးစားပစ္စည်းများ၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

အထွေထွေဖော်ပြချက်

WST4041 သည် synchronous buck converters များတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော အားကောင်းသည့် P-channel MOSFET တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် ဂိတ်အားသွင်းမှုကို ခွင့်ပြုနိုင်သည့် မြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆရှိသည်။ WST4041 သည် RoHS နှင့် Green Product စံနှုန်းများအတွက် လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် 100% EAS အာမခံချက်ပါရှိပါသည်။

အင်္ဂါရပ်များ

Advanced Trench Technology တွင် ဆဲလ်သိပ်သည်းဆနှင့် အလွန်နိမ့်သော gate charge ပါ၀င်ပြီး CdV/dt effect ကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ပစ္စည်းများသည် 100% EAS အာမခံချက်နှင့် ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်နိုင်သော ရွေးချယ်မှုများပါရှိသည်။

အသုံးချမှု

ကြိမ်နှုန်းမြင့် ပွိုင့်-ဝန် ချိန်ကိုက်ပြောင်းစက်၊ ကွန်ရက်ချိတ်ဆက်သည့် DC-DC ပါဝါစနစ်၊ ဝန်ခလုတ်များ၊ အီး-စီးကရက်များ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ကိရိယာများ၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းငယ်များနှင့် လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ။

သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်

AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A၊dintek DTS4501၊ncepower NCE40P05Y၊

အရေးကြီးသောဘောင်များ

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
VDS	Drain-Source Voltage	စာ-၄၀	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID@TC=25 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ -10V1	-၆.၀	A
ID@TC=100 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ -10V1	-၄.၅	A
IDM	Pulsed Drain Current ၂	စာ-၂၄	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy ၃	12	mJ
IAS	Avalanche Current	-7	A
PD@TC=25 ℃	စုစုပေါင်း ပါဝါ Dissipation ၄	၁.၄	W
TSTG	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အခြေအနေများ	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V၊ ID=-250uA	စာ-၄၀	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperature Coefficient	25 ℃ ၊ ID=-1mA ကို ကိုးကား	---	-0.03	---	V/℃
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V၊ ID=-3A	---	30	40	mΩ
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4.5V၊ ID=-1A	---	40	58	mΩ
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS၊ ID =-250uA	-0.8	-၁.၂	-၂.၂	V
△VGS(ကြိမ်မြောက်)	VGS(th) အပူချိန် Coefficient	VGS=VDS၊ ID =-250uA	---	၄.၅၆	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-28V၊ VGS=0V၊ TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-28V၊ VGS=0V၊ TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V၊ VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း။	VDS=-5V၊ ID=-3A	---	15	---	S
Rg	Gate Resistance	VDS=0V၊ VGS=0V၊ f=1MHz	---	၃.၈	---	Ω
Qg	စုစုပေါင်း Gate Charge (-4.5V)	VDS=-18V၊ VGS=-10V၊ ID=-4A	---	၉.၅	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	၁.၇	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	2.0	---
Td(ဖွင့်)	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	VDD=-15V၊ VGS=-10V၊ RG=6Ω၊ ID=-1A၊ RL=15Ω	---	8	---	ns
Tr	မြင့်တက်ချိန်		---	10	---
Td(ပိတ်)	ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်		---	18	---
Tf	ဆောင်းရာသီ		---	8	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=-15V၊ VGS=0V၊ f=1MHz	---	၄၂၀	---	pF
Coss	Output Capacitance ၊		---	77	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	55	---