WST2088A N-channel 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

မော်ဒယ်နံပါတ်-WST2088A

BVDSS-20V

RDSON-10.7mΩ

ID-7.5A

ချန်နယ်-N-ချန်နယ်

အထုပ်-SOT-23-3L

ထုတ်ကုန် SummeryWST2088A MOSFET ၏ဗို့အားသည် 20V၊ လက်ရှိ 7.5A၊ ခုခံမှုမှာ 10.7mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး၊ အထုပ်သည် SOT-23-3L ဖြစ်သည်။

အပလီကေးရှင်းများအီလက်ထရွန်းနစ်စီးကရက်များ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ထုတ်ကုန်များ၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းငယ်များ၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ၊ စသည်တို့။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

အထွေထွေဖော်ပြချက်

WST2088A သည် သေးငယ်သော power switching နှင့် load switch applications အများစုအတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် gate charge ကိုပေးဆောင်သော အလွန်မြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်အမြင့်ဆုံး trench N-ch MOSFETs များဖြစ်သည်။ WST2088A သည် လုပ်ဆောင်ချက်ယုံကြည်စိတ်ချရမှု အပြည့်ဖြင့် အတည်ပြုထားသော RoHS နှင့် Green Product လိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

အင်္ဂါရပ်များ

အဆင့်မြင့်ဆဲလ်သိပ်သည်းဆမြင့်သော Trench နည်းပညာ၊ Super Low Gate Charge၊ Excellent Cdv/dt effect ကျဆင်းမှု၊ Green Device ရရှိနိုင်သည်

အသုံးချမှု

ပါဝါပြောင်းခြင်း အပလီကေးရှင်း၊ Hard Switched နှင့် High Frequency Circuits၊ အနှောင့်အယှက်မရှိ ပါဝါထောက်ပံ့မှု၊ အီလက်ထရွန်းနစ် စီးကရက်များ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ် ထုတ်ကုန်များ၊ အသေးစား အိမ်သုံးပစ္စည်းများ၊ လူသုံး အီလက်ထရွန်နစ် ပစ္စည်း စသည်တို့။

သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်

AO AO3416၊ ON NTR3C21NZ၊ VISHAY Si2312CDS၊ Nxperian PMV16XN စသည်ဖြင့်

အရေးကြီးသောဘောင်များ

လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာလက္ခဏာများ (TJ = 25 ℃၊ အခြားနည်းဖြင့်မှတ်သားထားခြင်းမရှိပါက)

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
VDS	Drain-Source Voltage	20	V
VGS	Gate-Source Voltage	±12	V
ID@Tc=25 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ 4.5V	၇.၅	A
ID@Tc=70 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ 4.5V	၄.၅	A
IDP	Pulsed Drain Current	24	A
PD@TA=25 ℃	စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation	၁.၂၅	W
TSTG	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အခြေအနေများ	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V၊ ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperature Coefficient	ရည်ညွှန်းချက် 25 ℃၊ ID = 1mA	---	၀.၀၁၈	---	V/℃
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V၊ ID=6A	---	၁၀.၇	14	mΩ
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=2.5V၊ ID=5A	---	၁၂.၈	17
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS၊ ID =250uA	၀.၄	၀.၆၃	၁.၂	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V၊ VGS=0V။	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±12V၊ VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	စုစုပေါင်းဂိတ်တာဝန်ခံ	VDS=15V၊ VGS=4.5V၊ ID=6A	---	10	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	၁.၆	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	၃.၄	---
Td(ဖွင့်)	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	VDS=10V ၊ VGS=4.5V ၊RG=3.3Ω ID=1A	---	8	---	ns
Tr	မြင့်တက်ချိန်		---	15	---
Td(ပိတ်)	ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်		---	33	---
Tf	ဆောင်းရာသီ		---	13	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=15V၊ VGS=0V၊ f=1MHz	---	၅၉၀	---	pF
Coss	Output Capacitance ၊		---	၁၂၅	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	90	---