WST2088A N-channel 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

မော်ဒယ်နံပါတ်-WST2088A

BVDSS-20V

RDSON-10.7mΩ

ID-7.5A

ချန်နယ်-N-ချန်နယ်

အထုပ်-SOT-23-3L

ထုတ်ကုန် SummeryWST2088A MOSFET ၏ဗို့အားသည် 20V၊ လက်ရှိ 7.5A၊ ခုခံမှုမှာ 10.7mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး၊ အထုပ်သည် SOT-23-3L ဖြစ်သည်။

လျှောက်လွှာများ:အီလက်ထရွန်းနစ်စီးကရက်များ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ထုတ်ကုန်များ၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းငယ်များ၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ၊ စသည်တို့။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

အထွေထွေဖော်ပြချက်

WST2088A သည် သေးငယ်သော power switching နှင့် load switch applications အများစုအတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် gate charge ကိုပေးဆောင်သော အလွန်မြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်အမြင့်ဆုံး trench N-ch MOSFETs များဖြစ်သည်။WST2088A သည် လုပ်ဆောင်ချက်ယုံကြည်စိတ်ချရမှု အပြည့်ဖြင့် အတည်ပြုထားသော RoHS နှင့် Green Product လိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

အင်္ဂါရပ်များ

အဆင့်မြင့်ဆဲလ်သိပ်သည်းဆမြင့်သော Trench နည်းပညာ၊ Super Low Gate Charge၊ Excellent Cdv/dt effect ကျဆင်းမှု၊ Green Device ရရှိနိုင်သည်

လျှောက်လွှာများ

ပါဝါပြောင်းခြင်း အပလီကေးရှင်း၊ Hard Switched နှင့် High Frequency Circuits ၊ Interruptible Power Supply ၊ အီလက်ထရွန်းနစ် စီးကရက်များ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ် ထုတ်ကုန်များ၊ အသေးစား အိမ်သုံးပစ္စည်းများ၊ လူသုံး အီလက်ထရွန်နစ် ပစ္စည်း စသည်တို့

သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်

AO AO3416၊ ON NTR3C21NZ၊ VISHAY Si2312CDS၊ Nxperian PMV16XN စသည်ဖြင့်

အရေးကြီးသောဘောင်များ

လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာလက္ခဏာများ (TJ = 25 ℃၊ အခြားနည်းဖြင့်မှတ်သားထားခြင်းမရှိပါက)

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
VDS	Drain-Source Voltage	20	V
VGS	Gate-Source Voltage	±12	V
ID@Tc=25 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ 4.5V	၇.၅	A
ID@Tc=70 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ 4.5V	၄.၅	A
IDP	Pulsed Drain Current	24	A
PD@TA=25 ℃	စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation	၁.၂၅	W
TSTG	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အခြေအနေများ	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V၊ ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperature Coefficient	ရည်ညွှန်းချက် 25 ℃၊ ID = 1mA	---	၀.၀၁၈	---	V/℃
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V၊ ID=6A	---	၁၀.၇	14	mΩ
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=2.5V၊ ID=5A	---	၁၂.၈	17
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS၊ ID =250uA	၀.၄	၀.၆၃	၁.၂	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V၊ VGS=0V။	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±12V၊ VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	စုစုပေါင်းဂိတ်တာဝန်ခံ	VDS=15V၊ VGS=4.5V၊ ID=6A	---	10	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	၁.၆	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	၃.၄	---
Td(ဖွင့်)	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	VDS=10V ၊ VGS=4.5V ၊RG=3.3Ω ID=1A	---	8	---	ns
Tr	မြင့်တက်ချိန်		---	15	---
Td(ပိတ်)	ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်		---	33	---
Tf	ဆောင်းရာသီ		---	13	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=15V၊ VGS=0V၊ f=1MHz	---	၅၉၀	---	pF
Coss	Output Capacitance ၊		---	၁၂၅	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	90	---