WST2088 N-channel 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

မော်ဒယ်နံပါတ်-WST2088

BVDSS-20V

RDSON-8mΩ

ID-8.8A

ချန်နယ်-N-ချန်နယ်

အထုပ်-SOT-23-3L

ထုတ်ကုန် SummeryWST2088 MOSFET ၏ဗို့အားသည် 20V၊ လက်ရှိ 8.8A၊ ခုခံမှုမှာ 8mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး အထုပ်သည် SOT-23-3L ဖြစ်သည်။

အပလီကေးရှင်းများအီလက်ထရွန်းနစ်စီးကရက်များ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ကိရိယာများ၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းငယ်များနှင့် လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

အထွေထွေဖော်ပြချက်

WST2088 MOSFET များသည် စျေးကွက်တွင် အဆင့်မြင့်ဆုံး N-channel ထရန်စစ္စတာများဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့တွင် မယုံနိုင်လောက်အောင် မြင့်မားသော ဆဲလ်သိပ်သည်းဆ ရှိပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် ဂိတ်အားသွင်းမှုတို့ကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ဤ MOSFET များသည် အသေးစား ပါဝါပြောင်းခြင်းနှင့် load switch applications များအတွက် ပြီးပြည့်စုံပါသည်။ ၎င်းတို့သည် RoHS နှင့် Green Product လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရမှုအတွက် အပြည့်အဝ စမ်းသပ်ထားသည်။

အင်္ဂါရပ်များ

မြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆ၊ Super Low Gate Charge နှင့် အစွမ်းထက်သော Cdv/dt အကျိုးသက်ရောက်မှုကျဆင်းမှုတို့နှင့်အတူ အဆင့်မြင့် Trench နည်းပညာဖြင့် ၎င်းကို Green Device ဖြစ်လာစေသည်။

အသုံးချမှု

ပါဝါအပလီကေးရှင်းများ၊ ခက်ခဲစွာပြောင်းလဲခြင်းနှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော ဆားကစ်များ၊ အနှောက်အယှက်ကင်းသော ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ အီးစီးကရက်များ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ၊ အသေးစားအိမ်သုံးပစ္စည်းများနှင့် လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ။

သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်

AO AO3416၊ DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214 စသဖြင့်

အရေးကြီးသောဘောင်များ

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
VDS	Drain-Source Voltage	20	V
VGS	Gate-Source Voltage	±12	V
ID@Tc=25 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ 4.5V	၈.၈	A
ID@Tc=70 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ 4.5V	၆.၂	A
IDP	Pulsed Drain Current	40	A
PD@TA=25 ℃	စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation	၁.၅	W
TSTG	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃

လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာလက္ခဏာများ (TJ = 25 ℃၊ အခြားနည်းဖြင့်မှတ်သားထားခြင်းမရှိပါက)

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အခြေအနေများ	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V၊ ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperature Coefficient	ရည်ညွှန်းချက် 25 ℃၊ ID = 1mA	---	၀.၀၁၈	---	V/℃
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V၊ ID=6A	---	8	13	mΩ
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=2.5V၊ ID=5A	---	၁၀	၁၉	mΩ
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS၊ ID =250uA	၀.၅	---	၁.၃	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V၊ VGS=0V။	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±12V၊ VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	စုစုပေါင်းဂိတ်တာဝန်ခံ	VDS=15V၊ VGS=4.5V၊ ID=6A	---	16	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	3	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	၄.၅	---
Td(ဖွင့်)	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	VDS=10V ၊ VGS=4.5V ၊RG=3.3Ω ID=1A	---	10	---	ns
Tr	မြင့်တက်ချိန်		---	13	---
Td(ပိတ်)	ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်		---	28	---
Tf	ဆောင်းရာသီ		---	7	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=15V၊ VGS=0V၊ f=1MHz	---	၁၄၀၀	---	pF
Coss	Output Capacitance ၊		---	၁၇၀	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	၁၃၅	---