WST2011 Dual P-Channel -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
အထွေထွေဖော်ပြချက်
WST2011 MOSFET များသည် ပြိုင်ဘက်ကင်းသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆပါဝင်သည့် အဆင့်မြင့် P-ch ထရန်စစ္စတာများဖြစ်သည်။၎င်းတို့သည် နိမ့်သော RDSON နှင့် gate charge ဖြင့် ထူးခြားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းသောကြောင့် ၎င်းတို့အား အသေးစားပါဝါပြောင်းခြင်းနှင့် load switch applications များအတွက် စံပြဖြစ်စေပါသည်။ထို့အပြင်၊ WST2011 သည် RoHS နှင့် Green Product စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီပြီး လုပ်ဆောင်ချက် အပြည့်အ၀ ယုံကြည်စိတ်ချရမှု ခွင့်ပြုချက်ပါရှိသည်။
အင်္ဂါရပ်များ
Advanced Trench နည်းပညာသည် ပိုမိုမြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆကိုရရှိစေပြီး Super Low Gate Charge နှင့် အထူးကောင်းမွန်သော CdV/dt အကျိုးသက်ရောက်မှုကျဆင်းသည့် Green Device ကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။
လျှောက်လွှာများ
ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော ဝန်ပွိုင့်-ချိန်ကိုက် သေးငယ်သော ပါဝါခလုတ်ကို MB/NB/UMPC/VGA၊ ကွန်ရက်ချိတ်ဆက်သည့် DC-DC ပါဝါစနစ်များ၊ ဝန်ခလုတ်များ၊ အီး-စီးကရက်များ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ထုတ်ကုန်များ၊ အသေးစားအိမ်သုံးပစ္စည်းများနှင့် လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်ပါသည်။ .
သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်
FDC634P၊VISHAY Si3443DDV၊NXP PMDT670UPE၊
အရေးကြီးသောဘောင်များ
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အဆင့်သတ်မှတ်ချက် | ယူနစ် | |
| 10s | တည်ငြိမ်သောအခြေအနေ | |||
| VDS | Drain-Source Voltage | စာ-၂၀ | V | |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±12 | V | |
| ID@TA=25 ℃ | Continuous Drain Current၊ VGS @ -4.5V1 | -၃.၆ | -၃.၂ | A |
| ID@TA=70 ℃ | Continuous Drain Current၊ VGS @ -4.5V1 | -၂.၆ | -၂.၄ | A |
| IDM | Pulsed Drain Current ၂ | စာ-၁၂ | A | |
| PD@TA=25 ℃ | စုစုပေါင်း ပါဝါ Dissipation ၃ | ၁.၇ | ၁.၄ | W |
| PD@TA=70 ℃ | စုစုပေါင်း ပါဝါ Dissipation ၃ | ၁.၂ | ၀.၉ | W |
| TSTG | သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ | |
| TJ | Operating Junction Temperature Range | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ | |
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အခြေအနေများ | မင်း | စာရိုက်ပါ။ | မက်တယ်။ | ယူနစ် |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V၊ ID=-250uA | စာ-၂၀ | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS Temperature Coefficient | 25 ℃ ၊ ID=-1mA ကို ကိုးကား | --- | -0.011 | --- | V/℃ |
| RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-4.5V၊ ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2.5V၊ ID=-1A | --- | 95 | ၁၁၅ | |||
| VGS(ကြိမ်မြောက်) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS၊ ID =-250uA | -0.5 | -1.0 | -1.5 | V |
| △VGS(ကြိမ်မြောက်) | VGS(th) အပူချိန် Coefficient | --- | ၃.၉၅ | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=-16V၊ VGS=0V၊ TJ=25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V၊ VGS=0V၊ TJ=55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±12V၊ VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း။ | VDS=-5V၊ ID=-2A | --- | ၈.၅ | --- | S |
| Qg | စုစုပေါင်း Gate Charge (-4.5V) | VDS=-15V၊ VGS=-4.5V၊ ID=-2A | --- | ၃.၃ | ၁၁.၃ | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | ၁.၁ | ၁.၇ | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | ၁.၁ | ၂.၉ | ||
| Td(ဖွင့်) | ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | VDD=-15V၊ VGS=-4.5V ၊ RG=3.3Ω၊ ID=-2A | --- | ၇.၂ | --- | ns |
| Tr | မြင့်တက်ချိန် | --- | ၉.၃ | --- | ||
| Td(ပိတ်) | ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | --- | ၁၅.၄ | --- | ||
| Tf | ဆောင်းရာသီ | --- | ၃.၆ | --- | ||
| Ciss | Input Capacitance | VDS=-15V၊ VGS=0V၊ f=1MHz | --- | ၇၅၀ | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance ၊ | --- | 95 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 68 | --- |
