WSR140N12 N-channel 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

မော်ဒယ်နံပါတ်-WSR140N12

BVDSS-120V

RDSON-5mΩ

ID-140A

ချန်နယ်-N-ချန်နယ်

အထုပ်-TO-220-3L

ထုတ်ကုန် SummeryWSR140N12 MOSFET ၏ဗို့အားမှာ 120V၊ လက်ရှိ 140A၊ ခုခံမှုမှာ 5mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး အထုပ်သည် TO-220-3L ဖြစ်သည်။

လျှောက်လွှာများ:ဓာတ်အားထောက်ပံ့မှု၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ၊ အဓိကသုံးပစ္စည်းများ၊ BMS စသည်တို့။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

အထွေထွေဖော်ပြချက်

WSR140N12 သည် အလွန်မြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆရှိသော အလွန်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ကလာပ်စည်း N-ch MOSFET ဖြစ်ပြီး၊ synchronous buck converter အပလီကေးရှင်းအများစုအတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် gate charge ကိုပေးဆောင်သော စွမ်းဆောင်ရည်အမြင့်ဆုံး trench ဖြစ်သည်။WSR140N12 သည် RoHS နှင့် Green Product လိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီပြီး လုပ်ဆောင်ချက်အပြည့်အ၀ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုဖြင့် 100% EAS အာမခံပါသည်။

အင်္ဂါရပ်များ

အဆင့်မြင့်ဆဲလ်သိပ်သည်းဆမြင့်သော Trench နည်းပညာ၊ အထူးနိမ့်ဂိတ်အားသွင်းမှု၊ အစွမ်းထက်သော CdV/dt အကျိုးသက်ရောက်မှုကျဆင်းမှု၊ 100% EAS အာမခံချက်၊ အစိမ်းရောင်စက်ပစ္စည်း ရရှိနိုင်မည်ဖြစ်သည်။

လျှောက်လွှာများ

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter၊ Networking DC-DC ပါဝါစနစ်၊ ပါဝါထောက်ပံ့မှု၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ၊ အဓိကသုံးပစ္စည်းများ၊ BMS စသည်တို့။

သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်

ST STP40NF12 စသည်တို့

အရေးကြီးသောဘောင်များ

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
VDS	Drain-Source Voltage	၁၂၀	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current၊ VGS @ 10V(TC=25℃)	၁၄၀	A
IDM	Pulsed Drain Current	၃၃၀	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	၄၀၀	mJ
PD	စုစုပေါင်း ဓာတ်အား စုပ်ယူမှု... C=25 ℃)	၁၉၂	W
RθJA	အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်၊ လမ်းဆုံ-ပတ်ဝန်းကျင်	62	℃/W
RθJC	အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်၊ လမ်းဆုံ-ကိစ္စ	၀.၆၅	℃/W
TSTG	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အခြေအနေများ	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V၊ ID=250uA	၁၂၀	---	---	V
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V၊ ID=30A	---	၅.၀	၆.၅	mΩ
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS၊ ID =250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=120V၊ VGS=0V၊ TJ=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V၊ VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	စုစုပေါင်းဂိတ်တာဝန်ခံ	VDS=50V၊ VGS=10V၊ ID=15A	---	၆၈.၉	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	၁၈.၁	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	၁၅.၉	---
Td(ဖွင့်)	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	VDD=50V၊ VGS=10VRG=2Ω၊ ID=25A	---	၃၀.၃	---	ns
Tr	မြင့်တက်ချိန်		---	၃၃.၀	---
Td(ပိတ်)	ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်		---	၅၉.၅	---
Tf	ဆောင်းရာသီ		---	၁၁.၇	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=50V၊ VGS=0V၊ f=1MHz	---	၅၈၂၃	---	pF
Coss	Output Capacitance ၊		---	၇၇၈.၃	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	၁၇.၅	---