WSP4447 P-ချန်နယ် -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET အထူးအသားပေးပုံ

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

မော်ဒယ်နံပါတ်-WSP4447

BVDSS--40V

RDSON-13mΩ

ID--11A

ချန်နယ်-P-Channel

အထုပ်-SOP-8

ထုတ်ကုန် SummeryWSP4447 MOSFET ၏ဗို့အားသည် -40V၊ လက်ရှိမှာ -11A၊ ခုခံမှုမှာ 13mΩ၊ ချန်နယ်သည် P-Channel ဖြစ်ပြီး အထုပ်သည် SOP-8 ဖြစ်သည်။

အပလီကေးရှင်းများအီလက်ထရွန်းနစ်စီးကရက်များ၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းကိရိယာများ၊ မော်တာများ၊ ဒရုန်းများ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာကိရိယာများ၊ အော်တိုအားသွင်းကိရိယာများ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ထုတ်ကုန်များ၊ အသေးစားပစ္စည်းများနှင့် လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

အထွေထွေဖော်ပြချက်

WSP4447 သည် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာကိုအသုံးပြုပြီး ဆဲလ်သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် MOSFET တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် ဂိတ်အားသွင်းမှုကို ပေးစွမ်းသောကြောင့် ၎င်းကို synchronous buck converter အက်ပ်အများစုတွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်စေသည်။ WSP4447 သည် RoHS နှင့် Green Product စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရမှုအတွက် 100% EAS အာမခံချက်ပါရှိသည်။

အင်္ဂါရပ်များ

Advanced Trench နည်းပညာသည် ပိုမိုမြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆကိုရရှိစေပြီး Super Low Gate Charge နှင့် အထူးကောင်းမွန်သော CdV/dt အကျိုးသက်ရောက်မှုကျဆင်းသည့် Green Device ကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။

အသုံးချမှု

အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းအမျိုးမျိုးအတွက် ကြိမ်နှုန်းမြင့်ပြောင်းစက်
ဤ converter သည် လက်တော့ပ်များ၊ ဂိမ်းစက်များ၊ ကွန်ရက်ချိတ်ဆက်ကိရိယာများ၊ အီးစီးကရက်များ၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းကိရိယာများ၊ မော်တာများ၊ ဒရုန်းများ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာကိရိယာများ၊ ကားအားသွင်းကိရိယာများ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ထုတ်ကုန်များ၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းငယ်များနှင့် လူသုံးကုန်များအပါအဝင် စက်ပစ္စည်းအများအပြားကို ထိရောက်စွာစွမ်းအင်ထုတ်နိုင်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ လျှပ်စစ်ပစ္စည်း။

သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်

AOS AO4425 AO4485၊ON FDS4675၊VISHAY Si4401FDY၊ST STS10P4LLF6၊TOSHIBA TPC8133၊PANJIT PJL9421၊Sinopower SM4403PSK၊RUICHIPS RU40L10H။

အရေးကြီးသောဘောင်များ

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
VDS	Drain-Source Voltage	စာ-၄၀	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID@TA=25 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ -10V1	စာ-၁၁	A
ID@TA=70 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ -10V1	-9.0	A
IDM a	300µs Pulsed Drain Current (VGS=-10V)	စာ-၄၄	A
EAS ခ	Avalanche Energy၊ Single pulse (L=0.1mH)	54	mJ
IAS ခ	Avalanche Current၊ Single pulse (L=0.1mH)	စာ-၃၃	A
PD@TA=25 ℃	စုစုပေါင်း ပါဝါ Dissipation ၄	2.0	W
TSTG	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အခြေအနေများ	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V၊ ID=-250uA	စာ-၄၀	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperature Coefficient	25 ℃ ၊ ID=-1mA ကို ကိုးကား	---	-0.018	---	V/℃
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V၊ ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=-4.5V၊ ID=-5A	---	18	26
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS၊ ID =-250uA	-၁.၄	-၁.၉	-၂.၄	V
		VGS=VDS၊ ID =-250uA
△VGS(ကြိမ်မြောက်)	VGS(th) အပူချိန် Coefficient		---	၅.၀၄	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-32V၊ VGS=0V၊ TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current					uA
		VDS=-32V၊ VGS=0V၊ TJ=55 ℃	---	---	-5
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V၊ VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း။	VDS=-5V၊ ID=-10A	---	18	---	S
Qg	စုစုပေါင်း Gate Charge (-4.5V)	VDS=-20V၊ VGS=-10V၊ ID=-11A	---	32	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	၅.၂	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	8	---
Td(ဖွင့်)	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	VDD=-20V၊ VGS=-10V၊ RG=6Ω၊ ID=-1A၊RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	မြင့်တက်ချိန်		---	12	---
Td(ပိတ်)	ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်		---	41	---
Tf	ဆောင်းရာသီ		---	22	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=-15V၊ VGS=0V၊ f=1MHz	---	၁၅၀၀	---	pF
Coss	Output Capacitance ၊		---	၂၃၅	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	၁၈၀	---