WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

မော်ဒယ်နံပါတ်-WSP4099

BVDSS--40V

RDSON-30mΩ

ID--6.5A

ချန်နယ်-Dual P-Channel

အထုပ်-SOP-8

ထုတ်ကုန် SummeryWSP4099 MOSFET တွင် ဗို့အား -40V၊ -6.5A ၏ လက်ရှိ 30mΩ၊ Dual P-Channel နှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိသော SOP-8 ပက်ကေ့ခ်ျတစ်ခု ပါဝင်သည်။

အပလီကေးရှင်းများအီလက်ထရွန်းနစ်စီးကရက်များ၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းခြင်း၊ မော်တာများ၊ ဒရုန်းများ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ၊ အော်တိုအားသွင်းကိရိယာများ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ထုတ်ကုန်များ၊ အသေးစားပစ္စည်းများ၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

အထွေထွေဖော်ပြချက်

WSP4099 သည် ဆဲလ်သိပ်သည်းဆမြင့်သော P-ch MOSFET အားကောင်းသော ကတုတ်ကျင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် ဂိတ်တာဝန်ခံကို ပေးဆောင်ပြီး synchronous buck converter အက်ပ်အများစုအတွက် သင့်လျော်စေသည်။ ၎င်းသည် RoHS နှင့် GreenProduct စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီပြီး လုပ်ငန်းဆောင်တာ ယုံကြည်စိတ်ချရမှု အပြည့်အ၀ ထောက်ခံချက်ဖြင့် 100% EAS အာမခံချက် ရှိသည်။

အင်္ဂါရပ်များ

မြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆ၊ အလွန်နိမ့်သောတံခါးပေါက်အားသွင်းမှု၊ အလွန်ကောင်းမွန်သော CdV/dt အကျိုးသက်ရောက်မှု ယိုယွင်းမှုနှင့် 100% EAS အာမခံချက်တို့ပါရှိသော အဆင့်မြင့် Trench နည်းပညာသည် အလွယ်တကူရရှိနိုင်သည့် ကျွန်ုပ်တို့၏အစိမ်းရောင်စက်ပစ္စည်းများ၏ အင်္ဂါရပ်များဖြစ်သည်။

အသုံးချမှု

MB/NB/UMPC/VGA အတွက် မြင့်မားသော Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter၊ Networking DC-DC Power System၊ Load Switch၊ E-cigarettes၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းခြင်း၊ မော်တာများ၊ ဒရုန်းများ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ စောင့်ရှောက်မှု၊ ကားအားသွင်းကိရိယာများ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ် ထုတ်ကုန်များ အိမ်သုံးပစ္စည်းငယ်များနှင့် လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ။

သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်

FDS4685၊VISHAY Si4447ADY၊TOSHIBA TPC8227-H၊PANJIT PJL9835A၊Sinopower SM4405BSK၊dintek DTM4807၊ruichips RU40S4H။

အရေးကြီးသောဘောင်များ

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
VDS	Drain-Source Voltage	စာ-၄၀	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID@TC=25 ℃	Continuous Drain Current၊ -VGS @ -10V1	-၆.၅	A
ID@TC=100 ℃	Continuous Drain Current၊ -VGS @ -10V1	-၄.၅	A
IDM	Pulsed Drain Current ၂	စာ-၂၂	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy ၃	25	mJ
IAS	Avalanche Current	စာ-၁၀	A
PD@TC=25 ℃	စုစုပေါင်း ပါဝါ Dissipation ၄	2.0	W
TSTG	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အခြေအနေများ	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V၊ ID=-250uA	စာ-၄၀	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperature Coefficient	25 ℃ ၊ ID=-1mA ကို ကိုးကား	---	-0.02	---	V/℃
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V၊ ID=-6.5A	---	30	38	mΩ
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4.5V၊ ID=-4.5A	---	46	62	mΩ
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS၊ ID =-250uA	-1.5	-2.0	-၂.၅	V
△VGS(ကြိမ်မြောက်)	VGS(th) အပူချိန် Coefficient	VGS=VDS၊ ID =-250uA	---	၃.၇၂	---	V/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-32V၊ VGS=0V၊ TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-32V၊ VGS=0V၊ TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V၊ VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း။	VDS=-5V၊ ID=-4A	---	8	---	S
Qg	စုစုပေါင်း Gate Charge (-4.5V)	VDS=-20V၊ VGS=-4.5V၊ ID=-6.5A	---	၇.၅	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	၂.၄	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	၃.၅	---
Td(ဖွင့်)	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	VDD=-15V၊ VGS=-10V၊ RG=6Ω၊ ID=-1A ၊RL=20Ω	---	၈.၇	---	ns
Tr	မြင့်တက်ချိန်		---	7	---
Td(ပိတ်)	ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်		---	31	---
Tf	ဆောင်းရာသီ		---	17	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=-15V၊ VGS=0V၊ f=1MHz	---	၆၆၈	---	pF
Coss	Output Capacitance ၊		---	98	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	72	---