WSP4016 N-channel 40V 15.5A SOP-8 WINSOK MOSFET
အထွေထွေဖော်ပြချက်
WSP4016 သည် အလွန်မြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆရှိသော အလွန်မြင့်မားသော ဆဲလ်သိပ်သည်းဆရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်အမြင့်ဆုံး ကတုတ်ကျင်းဖြစ်ပြီး၊ synchronous buck converter အပလီကေးရှင်းအများစုအတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် ဂိတ်အားသွင်းမှုများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။WSP4016 သည် RoHS နှင့် Green Product လိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီပြီး၊ လုပ်ဆောင်ချက်အပြည့်ဖြင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုဖြင့် အတည်ပြုထားသော 100% EAS အာမခံပါသည်။
အင်္ဂါရပ်များ
အဆင့်မြင့်ဆဲလ်သိပ်သည်းဆမြင့်သော Trench နည်းပညာ၊ Super Low Gate Charge၊ Excellent CdV/dt effect ကျဆင်းမှု၊ 100% EAS အာမခံချက်၊ Green Device ရရှိနိုင်ပါပြီ။
လျှောက်လွှာများ
အဖြူရောင် LED မြှင့်တင်ပေးသည့်စနစ်များ၊ မော်တော်ယာဥ်စနစ်များ၊ စက်မှု DC/DC ကူးပြောင်းပတ်လမ်းများ၊ EA မော်တော်ကားအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၊ LED မီးများ၊ အော်ဒီယို၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ထုတ်ကုန်များ၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းငယ်များ၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ၊ အကာအကွယ်ဘုတ်များ စသည်ဖြင့်။
သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်
AO AOSP66406, ON FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA၊
DINTEK DTM5420။
အရေးကြီးသောဘောင်များ
သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အဆင့်သတ်မှတ်ချက် | ယူနစ် |
VDS | Drain-Source Voltage | 40 | V |
VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
ID@TC=25 ℃ | Continuous Drain Current၊ VGS @ 10V1 | ၁၅.၅ | A |
ID@TC=70 ℃ | Continuous Drain Current၊ VGS @ 10V1 | ၈.၄ | A |
IDM | Pulsed Drain Current ၂ | 30 | A |
PD@TA=25 ℃ | စုစုပေါင်း ပါဝါ Dissipation TA=25°C | ၂.၀၈ | W |
PD@TA=70 ℃ | စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation TA=70°C | ၁.၃ | W |
TSTG | သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ |
TJ | Operating Junction Temperature Range | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ |
လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာလက္ခဏာများ (TJ = 25 ℃၊ အခြားနည်းဖြင့်မှတ်သားထားခြင်းမရှိပါက)
သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အခြေအနေများ | မင်း | စာရိုက်ပါ။ | မက်တယ်။ | ယူနစ် |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V၊ ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V၊ ID=7A | --- | ၈.၅ | ၁၁.၅ | mΩ |
VGS=4.5V၊ ID=5A | --- | 11 | ၁၄.၅ | |||
VGS(ကြိမ်မြောက်) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS၊ ID =250uA | ၁.၀ | ၁.၈ | ၂.၅ | V |
IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=32V၊ VGS=0V၊ TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=32V၊ VGS=0V၊ TJ=55℃ | --- | --- | 25 | |||
IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V၊ VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း။ | VDS=5V၊ ID=15A | --- | 31 | --- | S |
Qg | စုစုပေါင်း Gate Charge (4.5V) | VDS=20V ၊VGS=10V ၊ID=7A | --- | 20 | 30 | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | ၃.၉ | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3 | --- | ||
Td(ဖွင့်) | ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | VDD=20V၊VGEN=10V၊RG=1Ω၊ ID=1A၊ RL=20Ω။ | --- | ၁၂.၆ | --- | ns |
Tr | မြင့်တက်ချိန် | --- | 10 | --- | ||
Td(ပိတ်) | ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | --- | ၂၃.၆ | --- | ||
Tf | ဆောင်းရာသီ | --- | 6 | --- | ||
Ciss | Input Capacitance | VDS=20V၊ VGS=0V၊ f=1MHz | --- | ၁၁၂၅ | --- | pF |
Coss | Output Capacitance ၊ | --- | ၁၃၂ | --- | ||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 70 | --- |
မှတ်ချက် :
1.Pulse test: PW<= 300us တာဝန်လည်ပတ်မှု<= 2%။
2. ထုတ်လုပ်မှုစမ်းသပ်ခြင်းမပြုဘဲ ဒီဇိုင်းဖြင့် အာမခံပါသည်။