WSP4016 N-ချန်နယ် 40V 15.5A SOP-8 WINSOK MOSFET
အထွေထွေဖော်ပြချက်
WSP4016 သည် အလွန်မြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆရှိသော အလွန်မြင့်မားသော ဆဲလ်သိပ်သည်းဆရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်အမြင့်ဆုံး ကတုတ်ကျင်းဖြစ်ပြီး၊ synchronous buck converter အပလီကေးရှင်းအများစုအတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် ဂိတ်အားသွင်းမှုများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ WSP4016 သည် RoHS နှင့် Green Product လိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီပြီး၊ လုပ်ဆောင်ချက်အပြည့်ဖြင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုဖြင့် အတည်ပြုထားသော 100% EAS အာမခံပါသည်။
အင်္ဂါရပ်များ
အဆင့်မြင့်ဆဲလ်သိပ်သည်းဆမြင့်သော Trench နည်းပညာ၊ Super Low Gate Charge၊ Excellent CdV/dt effect ကျဆင်းမှု၊ 100% EAS အာမခံချက်၊ Green Device ရရှိနိုင်ပါပြီ။
အသုံးချမှု
အဖြူရောင် LED မြှင့်တင်ပေးသည့်စနစ်များ၊ မော်တော်ကားစနစ်များ၊ စက်မှု DC/DC ကူးပြောင်းပတ်လမ်းများ၊ EA မော်တော်ကားအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၊ LED မီးများ၊ အော်ဒီယို၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ထုတ်ကုန်များ၊ အသေးစားအိမ်သုံးပစ္စည်းများ၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်း၊ အကာအကွယ်ဘုတ်များ စသည်ဖြင့်။
သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်
AO AOSP66406, ON FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA၊
DINTEK DTM5420။
အရေးကြီးသောဘောင်များ
သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အဆင့်သတ်မှတ်ချက် | ယူနစ် |
VDS | Drain-Source Voltage | 40 | V |
VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
ID@TC=25 ℃ | Continuous Drain Current၊ VGS @ 10V1 | ၁၅.၅ | A |
ID@TC=70 ℃ | Continuous Drain Current၊ VGS @ 10V1 | ၈.၄ | A |
IDM | Pulsed Drain Current ၂ | 30 | A |
PD@TA=25 ℃ | စုစုပေါင်း ပါဝါ Dissipation TA=25°C | ၂.၀၈ | W |
PD@TA=70 ℃ | စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation TA=70°C | ၁.၃ | W |
TSTG | သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ |
TJ | Operating Junction Temperature Range | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ |
လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာလက္ခဏာများ (TJ = 25 ℃၊ အခြားနည်းဖြင့်မှတ်သားထားခြင်းမရှိပါက)
သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အခြေအနေများ | မင်း | စာရိုက်ပါ။ | မက်တယ်။ | ယူနစ် |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V၊ ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V၊ ID=7A | --- | ၈.၅ | ၁၁.၅ | mΩ |
VGS=4.5V၊ ID=5A | --- | 11 | ၁၄.၅ | |||
VGS(ကြိမ်မြောက်) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS၊ ID =250uA | ၁.၀ | ၁.၈ | ၂.၅ | V |
IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=32V၊ VGS=0V၊ TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=32V၊ VGS=0V၊ TJ=55℃ | --- | --- | 25 | |||
IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V၊ VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း။ | VDS=5V၊ ID=15A | --- | 31 | --- | S |
Qg | စုစုပေါင်း Gate Charge (4.5V) | VDS=20V ၊VGS=10V ၊ID=7A | --- | 20 | 30 | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | ၃.၉ | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3 | --- | ||
Td(ဖွင့်) | ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | VDD=20V၊VGEN=10V၊RG=1Ω၊ ID=1A၊ RL=20Ω။ | --- | ၁၂.၆ | --- | ns |
Tr | မြင့်တက်ချိန် | --- | 10 | --- | ||
Td(ပိတ်) | ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | --- | ၂၃.၆ | --- | ||
Tf | ဆောင်းရာသီ | --- | 6 | --- | ||
Ciss | Input Capacitance | VDS=20V၊ VGS=0V၊ f=1MHz | --- | ၁၁၂၅ | --- | pF |
Coss | Output Capacitance ၊ | --- | ၁၃၂ | --- | ||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 70 | --- |
မှတ်ချက် :
1.Pulse test: PW<= 300us တာဝန်လည်ပတ်မှု<= 2%။
2. ထုတ်လုပ်မှုစမ်းသပ်ခြင်းမပြုဘဲ ဒီဇိုင်းဖြင့် အာမခံပါသည်။