WSM340N10G N-channel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET
အထွေထွေဖော်ပြချက်
WSM340N10G သည် အလွန်မြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆနှင့်အတူ စွမ်းဆောင်ရည်အမြင့်ဆုံး ကတုတ်ကျင်း N-Ch MOSFET ဖြစ်ပြီး၊ အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် ဂိတ်အားသွင်းမှုတို့ကို ပံ့ပိုးပေးသည့် synchronous buck converter အပလီကေးရှင်းအများစုအတွက်ဖြစ်သည်။WSM340N10G သည် RoHS နှင့် Green Product လိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီပြီး၊ လုပ်ဆောင်ချက်အပြည့်ဖြင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို အတည်ပြုထားသော 100% EAS အာမခံပါသည်။
အင်္ဂါရပ်များ
အဆင့်မြင့်ဆဲလ်သိပ်သည်းဆမြင့်သော Trench နည်းပညာ၊ Super Low Gate Charge၊ Excellent CdV/dt effect ကျဆင်းမှု၊ 100% EAS အာမခံချက်၊ Green Device ရရှိနိုင်ပါပြီ။
လျှောက်လွှာများ
ထပ်တူကျသော ပြုပြင်ခြင်း ၊ DC/DC Converter ၊ Load ခလုတ် ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ ကိရိယာများ၊ ဒရုန်းများ၊ PD ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ LED ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ စက်မှုပစ္စည်းကိရိယာများ စသည်တို့
အရေးကြီးသောဘောင်များ
အကြွင်းမဲ့ အများဆုံး အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များ
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အဆင့်သတ်မှတ်ချက် | ယူနစ် |
| VDS | Drain-Source Voltage | ၁၀၀ | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| ID@TC=25 ℃ | Continuous Drain Current၊ VGS @ 10V | ၃၄၀ | A |
| ID@TC=100 ℃ | Continuous Drain Current၊ VGS @ 10V | ၂၃၀ | A |
| IDM | Pulsed Drain Current..TC=25°C | ၁၁၅၀ | A |
| EAS | Avalanche Energy၊ Single pulse၊ L=0.5mH | ၁၈၀၀ | mJ |
| IAS | Avalanche Current၊ Single pulse၊ L=0.5mH | ၁၂၀ | A |
| PD@TC=25 ℃ | စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation | ၃၇၅ | W |
| PD@TC=100 ℃ | စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation | ၁၈၇ | W |
| TSTG | သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ | -၅၅ မှ ၁၇၅ | ℃ |
| TJ | Operating Junction Temperature Range | ၁၇၅ | ℃ |
လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာလက္ခဏာများ (TJ = 25 ℃၊ အခြားနည်းဖြင့်မှတ်သားထားခြင်းမရှိပါက)
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အခြေအနေများ | မင်း | စာရိုက်ပါ။ | မက်တယ်။ | ယူနစ် |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V၊ ID=250uA | ၁၀၀ | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS Temperature Coefficient | ရည်ညွှန်းချက် 25 ℃၊ ID = 1mA | --- | ၀.၀၉၆ | --- | V/℃ |
| RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance | VGS=10V၊ID=50A | --- | ၁.၆ | ၂.၃ | mΩ |
| VGS(ကြိမ်မြောက်) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS၊ ID =250uA | 2.0 | ၃.၀ | 4.0 | V |
| △VGS(ကြိမ်မြောက်) | VGS(th) အပူချိန် Coefficient | --- | -၅.၅ | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=85V၊ VGS=0V၊ TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V၊ VGS=0V၊ TJ=55 ℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±25V၊ VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V၊ VGS=0V၊ f=1MHz | --- | ၁.၀ | --- | Ω |
| Qg | စုစုပေါင်း Gate Charge (10V) | VDS=50V၊ VGS=10V၊ ID=50A | --- | ၂၆၀ | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 80 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 60 | --- | ||
| Td(ဖွင့်) | ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | VDD=50V၊ VGS=10V၊RG=1Ω၊RL=1Ω၊IDS=1A။ | --- | 88 | --- | ns |
| Tr | မြင့်တက်ချိန် | --- | 50 | --- | ||
| Td(ပိတ်) | ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | --- | ၂၂၈ | --- | ||
| Tf | ဆောင်းရာသီ | --- | ၃၂၂ | --- | ||
| Ciss | Input Capacitance | VDS=40V၊ VGS=0V၊ f=1MHz | --- | ၁၃၉၀၀ | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance ၊ | --- | ၆၁၆၀ | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | ၂၂၀ | --- |
သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။
