WSM340N10G N-channel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

မော်ဒယ်နံပါတ်-WSM340N10G

BVDSS-100V

RDSON-1.6mΩ

ID-340A

ချန်နယ်-N-ချန်နယ်

အထုပ်-TOLL-8L

ထုတ်ကုန် SummeryWSM340N10G MOSFET ၏ဗို့အားမှာ 100V၊ လက်ရှိ 340A၊ ခုခံမှုမှာ 1.6mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး ပက်ကေ့ချ်မှာ TOLL-8L ဖြစ်သည်။

အပလီကေးရှင်းများဆေးဘက်ဆိုင်ရာပစ္စည်းများ၊ ဒရုန်းများ၊ PD ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ LED ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ စက်မှုသုံးပစ္စည်းများ၊ စသည်တို့။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

အထွေထွေဖော်ပြချက်

WSM340N10G သည် အလွန်မြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်အမြင့်ဆုံး ကတုတ်ကျင်း N-Ch MOSFET ဖြစ်ပြီး၊ အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် ဂိတ်အားသွင်းမှုတို့ကို ပံ့ပိုးပေးသည့် synchronous buck converter အပလီကေးရှင်းအများစုအတွက်ဖြစ်သည်။ WSM340N10G သည် RoHS နှင့် Green Product လိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီပြီး၊ လုပ်ဆောင်ချက်အပြည့်အ၀ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုဖြင့် အတည်ပြုထားသော 100% EAS အာမခံပါသည်။

အင်္ဂါရပ်များ

အဆင့်မြင့်ဆဲလ်သိပ်သည်းဆမြင့်သော Trench နည်းပညာ၊ Super Low Gate Charge၊ Excellent CdV/dt effect ကျဆင်းမှု၊ 100% EAS အာမခံချက်၊ Green Device ရရှိနိုင်ပါပြီ။

အသုံးချမှု

ထပ်တူပြုခြင်း ၊ DC/DC Converter ၊ Load ခလုတ် ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ ကိရိယာများ၊ ဒရုန်းများ၊ PD ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ LED ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ စက်မှုပစ္စည်းကိရိယာများ စသည်တို့

အရေးကြီးသောဘောင်များ

အကြွင်းမဲ့ အများဆုံး အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များ

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
VDS	Drain-Source Voltage	၁၀၀	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID@TC=25 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ 10V	၃၄၀	A
ID@TC=100 ℃	Continuous Drain Current၊ VGS @ 10V	၂၃၀	A
IDM	Pulsed Drain Current..TC=25°C	၁၁၅၀	A
EAS	Avalanche Energy၊ Single pulse၊ L=0.5mH	၁၈၀၀	mJ
IAS	Avalanche Current၊ Single pulse၊ L=0.5mH	၁၂၀	A
PD@TC=25 ℃	စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation	၃၇၅	W
PD@TC=100 ℃	စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation	၁၈၇	W
TSTG	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ	-၅၅ မှ ၁၇၅	℃
TJ	Operating Junction Temperature Range	၁၇၅	℃

လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာလက္ခဏာများ (TJ = 25 ℃၊ အခြားနည်းဖြင့်မှတ်သားထားခြင်းမရှိပါက)

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အခြေအနေများ	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V၊ ID=250uA	၁၀၀	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperature Coefficient	ရည်ညွှန်းချက် 25 ℃၊ ID = 1mA	---	၀.၀၉၆	---	V/℃
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance	VGS=10V၊ID=50A	---	၁.၆	၂.၃	mΩ
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS၊ ID =250uA	2.0	၃.၀	4.0	V
△VGS(ကြိမ်မြောက်)	VGS(th) အပူချိန် Coefficient	VGS=VDS၊ ID =250uA	---	-၅.၅	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=85V၊ VGS=0V၊ TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=85V၊ VGS=0V၊ TJ=55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±25V၊ VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Gate Resistance	VDS=0V၊ VGS=0V၊ f=1MHz	---	၁.၀	---	Ω
Qg	စုစုပေါင်း Gate Charge (10V)	VDS=50V၊ VGS=10V၊ ID=50A	---	၂၆၀	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	80	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	60	---
Td(ဖွင့်)	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	VDD=50V၊ VGS=10V၊RG=1Ω၊RL=1Ω၊IDS=1A။	---	88	---	ns
Tr	မြင့်တက်ချိန်		---	50	---
Td(ပိတ်)	ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်		---	၂၂၈	---
Tf	ဆောင်းရာသီ		---	၃၂၂	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=40V၊ VGS=0V၊ f=1MHz	---	၁၃၉၀၀	---	pF
Coss	Output Capacitance ၊		---	၆၁၆၀	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	၂၂၀	---