WSF4022 Dual N-Channel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
အထွေထွေဖော်ပြချက်
WSF4022 သည် အမြင့်ဆုံးဆဲလ်သိပ်သည်းဆရှိသော Dual N-Ch MOSFET ဖြစ်ပြီး synchronous buck converter applications အများစုအတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် gate charge ကိုပေးစွမ်းသည့် Dual N-Ch MOSFET ဖြစ်သည်။ WSF4022 သည် RoHS နှင့် Green Product လိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီပြီး လုပ်ဆောင်ချက်အပြည့်ဖြင့် 100% EAS အာမခံပါသည်။ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို အတည်ပြုခဲ့သည်။
အင်္ဂါရပ်များ
Fan Pre-driver H-Bridge၊ Motor Control၊ Synchronous Rectification၊ E-cigarettes၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းမှု၊ မော်တာ၊ အရေးပေါ် ပါဝါထောက်ပံ့မှု၊ ဒရုန်းများ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ စောင့်ရှောက်မှု၊ ကားအားသွင်းကိရိယာများ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ် ထုတ်ကုန်များ၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းငယ်များ၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများအတွက်။
အသုံးချမှု
Fan Pre-driver H-Bridge၊ Motor Control၊ Synchronous Rectification၊ E-cigarettes၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းမှု၊ မော်တာ၊ အရေးပေါ် ပါဝါထောက်ပံ့မှု၊ ဒရုန်းများ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ စောင့်ရှောက်မှု၊ ကားအားသွင်းကိရိယာများ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ် ထုတ်ကုန်များ၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းငယ်များ၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများအတွက်။
သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်
AOS
အရေးကြီးသောဘောင်များ
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အဆင့်သတ်မှတ်ချက် | ယူနစ် | |
| VDS | Drain-Source Voltage | 40 | V | |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V | |
| ID | Drain Current (Continuous) *AC | TC=25°C | 20* | A |
| ID | Drain Current (Continuous) *AC | TC=100°C | 20* | A |
| ID | Drain Current (Continuous) *AC | TA=25°C | ၁၂.၂ | A |
| ID | Drain Current (Continuous) *AC | TA=70°C | ၁၀.၂ | A |
| IDMA | Pulsed Drain Current | TC=25°C | 80* | A |
| EASb | Single Pulse Avalanche Energy | L=0.5mH | 25 | mJ |
| IAS ခ | Avalanche Current | L=0.5mH | ၁၇.၈ | A |
| PD | အများဆုံးပါဝါ Dissipation | TC=25°C | ၃၉.၄ | W |
| PD | အများဆုံးပါဝါ Dissipation | TC=100°C | ၁၉.၇ | W |
| PD | ပါဝါ Dissipation | TA=25°C | ၆.၄ | W |
| PD | ပါဝါ Dissipation | TA=70°C | ၄.၂ | W |
| TJ | Operating Junction Temperature Range | ၁၇၅ | ℃ | |
| TSTG | လည်ပတ်အပူချိန်/ သိုလှောင်မှုအပူချိန် | -၅၅~၁၇၅ | ℃ | |
| RθJA ခ | Thermal Resistance Junction-Ambient | တည်တည်ငြိမ်ငြိမ် c | 60 | ℃/W |
| RθJC | Thermal Resistance Junction to Case | ၃.၈ | ℃/W |
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အခြေအနေများ | မင်း | စာရိုက်ပါ။ | မက်တယ်။ | ယူနစ် |
| အငြိမ် | ||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS = 0V၊ ID = 250μA | 40 | V | ||
| IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | VDS = 32V, VGS = 0V | 1 | µA | ||
| IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | VDS = 32V၊ VGS = 0V၊ TJ=85°C | 30 | µA | ||
| IGSS | Gate Leakage Current | VGS = ±20V၊ VDS = 0V | ±100 | nA | ||
| VGS(ကြိမ်မြောက်) | Gate Threshold Voltage | VGS = VDS၊ IDS = 250µA | ၁.၁ | ၁.၆ | ၂.၅ | V |
| RDS(on) ဃ | Drain-Source On-state Resistance | VGS = 10V၊ ID = 10A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4.5V၊ ID = 5A | 18 | 25 | mΩ | |||
| ဂိတ်တာဝန်ခံ | ||||||
| Qg | စုစုပေါင်းဂိတ်တာဝန်ခံ | VDS=20V၊VGS=4.5V၊ ID=10A | ၇.၅ | nC | ||
| Qgs | Gate-Source Charge | ၃.၂၄ | nC | |||
| Qgd | Gate-Drain Charge | ၂.၇၅ | nC | |||
| ဒိုင်းနမစ် | ||||||
| Ciss | Input Capacitance | VGS=0V၊ VDS=20V၊ f=1MHz | ၈၁၅ | pF | ||
| Coss | Output Capacitance ၊ | 95 | pF | |||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | 60 | pF | |||
| td (ဖွင့်) | ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | VDD=20V၊ VGEN=10V၊ IDS=1A၊RG=6Ω၊RL=20Ω။ | ၇.၈ | ns | ||
| tr | မြင့်တက်ချိန်ကို ဖွင့်ပါ။ | ၆.၉ | ns | |||
| td(ပိတ်) | နှောင့်နှေးချိန်ကို ပိတ်ပါ။ | ၂၂.၄ | ns | |||
| tf | Fall Time ကို ပိတ်ပါ။ | ၄.၈ | ns | |||
| Diode | ||||||
| VSDd | Diode သည် Forward Voltage ဖြစ်သည်။ | ISD=1A၊ VGS=0V | ၀.၇၅ | ၁.၁ | V | |
| tr | Input Capacitance | IDS=10A၊ dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
| Qrr | Output Capacitance ၊ | ၈.၇ | nC | |||
