WSD80130DN56 N-ချန်နယ် 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

WSD80130DN56 N-channel 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET အထူးအသားပေးပုံ

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

အပိုင်းနံပါတ်-WSD80130DN56

BVDSS-80V

ID-130A

RDSON:2.7mΩ

ချန်နယ်-N-ချန်နယ်

အထုပ်DFN5X6-8

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

WINSOK MOSFET ထုတ်ကုန် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်

WSD80130DN56 MOSFET ၏ဗို့အားမှာ 80V၊ လက်ရှိ 130A၊ ခုခံမှုမှာ 2.7mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး၊ အထုပ်မှာ DFN5X6-8 ဖြစ်သည်။

WINSOK MOSFET လျှောက်လွှာတင်သည့်နေရာများ

ဒရုန်းများ MOSFET၊ မော်တာ MOSFET၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ MOSFET၊ ပါဝါကိရိယာ MOSFET၊ ESCs MOSFET။

WINSOK MOSFET သည် အခြားသော ကုန်အမှတ်တံဆိပ် နံပါတ်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

AOS MOSFET AON6276၊AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7၊STL135N8F7AG။

MOSFET ဘောင်များ

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
VDS	Drain-Source Voltage	80	V
VGS	Gate-Source ဗို့အား	±20	V
TJ	အများဆုံးလမ်းဆုံအပူချိန်	၁၅၀	°C
ID	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ	-၅၅ မှ ၁၅၀	°C
ID	Continuous Drain Current, V_GS=10V၊T_C=25°C	၁၃၀	A
ID	Continuous Drain Current, V_GS=10V၊T_C=70°C	89	A
IDM	Pulsed Drain Current ၊T ၊_C=25°C	၄၀၀	A
P_D	အများဆုံးပါဝါ Dissipation၊T_C=25°C	၂၀၀	W
RqJC	Thermal Resistance-Junction to Case	၁.၂၅	°C

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အခြေအနေများ	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
BV_DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	V_GS=0V၊ ငါ_D=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BV_DSSTemperature Coefficient	25 ကိုကိုးကား℃ငါ_D=1mA	---	၀.၀၄၃	---	V/℃
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance²	VGS=10V၊ I_D=40A	---	၂.၇	၃.၆	mΩ
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	V_GS=V_DSငါ_D=250uA	2.0	၃.၀	4.0	V
△V_{GS(ကြိမ်မြောက်)}	V_{GS(ကြိမ်မြောက်)}Temperature Coefficient	V_GS=V_DSငါ_D=250uA	---	-၆.၉၄	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS=48V၊V_GS=0V၊ T_J=၂၅℃	---	---	2	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS=48V၊V_GS=0V၊ T_J=၅၅℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	V_GS=±20V ၊ V_DS=0V	---	---	±၁၀၀	nA
Q_g	စုစုပေါင်း Gate Charge (10V)	V_DS= 30V၊ V_GS=10V၊I_D=30A	---	၄၈.၆	---	nC
Q_gs	Gate-Source Charge		---	၁၇.၅	---
Q_gd	Gate-Drain Charge		---	၁၀.၄	---
Td(ဖွင့်)	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	V_DD= 30V၊ V_GS=10V၊ R_G=၂.၅Ωငါ_D=2A ၊RL=15Ω	---	20	---	ns
T_r	မြင့်တက်ချိန်		---	10	---
Td(ပိတ်)	ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်		---	35	---
T_f	ဆောင်းရာသီ		---	12	---
C_iss	Input Capacitance	V_DS=25V၊V_GS=0V ၊ f=1MHz	---	၄၁၅၀	---	pF
Coss	Output Capacitance ၊		---	၄၇၁	---
C_rss	Reverse Transfer Capacitance		---	20	---