WSD80120DN56 N-channel 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET ထုတ်ကုန် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်
WSD80120DN56 MOSFET ၏ဗို့အားမှာ 85V ဖြစ်ပြီး လက်ရှိမှာ 120A၊ ခုခံမှုမှာ 3.7mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး ပက်ကေ့ချ်မှာ DFN5X6-8 ဖြစ်သည်။
WINSOK MOSFET လျှောက်လွှာတင်သည့်နေရာများ
ဆေးဘက်ဆိုင်ရာဗို့အား MOSFET၊ ဓာတ်ပုံပစ္စည်းကိရိယာ MOSFET၊ ဒရုန်းများ MOSFET၊ စက်မှုထိန်းချုပ်မှု MOSFET၊ 5G MOSFET၊ မော်တော်ယာဥ်လျှပ်စစ်ပစ္စည်း MOSFET။
WINSOK MOSFET သည် အခြားသော ကုန်အမှတ်တံဆိပ် နံပါတ်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
AOS MOSFET AON6276၊AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7၊STL135N8F7AG။
MOSFET ဘောင်များ
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အဆင့်သတ်မှတ်ချက် | ယူနစ် |
| VDS | Drain-Source Voltage | 85 | V |
| VGS | Gate-Source ဗို့အား | ±25 | V |
| ID@TC=၂၅℃ | Continuous Drain Current, VGS@10V | ၁၂၀ | A |
| ID@TC=၁၀၀℃ | Continuous Drain Current, VGS@10V | 96 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current..TC=25°C | ၃၈၄ | A |
| EAS | Avalanche Energy၊ Single pulse၊ L=0.5mH | ၃၂၀ | mJ |
| IAS | Avalanche Current၊ Single pulse၊ L=0.5mH | ၁၈၀ | A |
| PD@TC=၂၅℃ | စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation | ၁၀၄ | W |
| PD@TC=၁၀၀℃ | စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation | 53 | W |
| TSTG | သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ | -၅၅ မှ ၁၇၅ | ℃ |
| TJ | Operating Junction Temperature Range | ၁၇၅ | ℃ |
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အခြေအနေများ | မင်း | စာရိုက်ပါ။ | မက်တယ်။ | ယူနစ် |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V၊ ငါD=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperature Coefficient | 25 ကိုကိုးကား℃ငါD=1mA | --- | ၀.၀၉၆ | --- | V/℃ |
| RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance | VGS=10V၊ID=50A | --- | ၃.၇ | ၄.၈ | mΩ |
| VGS(ကြိမ်မြောက်) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDSငါD=250uA | 2.0 | ၃.၀ | 4.0 | V |
| △VGS(ကြိမ်မြောက်) | VGS(ကြိမ်မြောက်)Temperature Coefficient | --- | -၅.၅ | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=85V၊VGS=0V၊ TJ=၂၅℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V၊VGS=0V၊ TJ=၅၅℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±25V၊ VDS=0V | --- | --- | ±၁၀၀ | nA |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V၊ VGS=0V ၊ f=1MHz | --- | ၃.၂ | --- | Ω |
| Qg | စုစုပေါင်း Gate Charge (10V) | VDS= 50V၊ VGS=10V၊ID=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 11 | --- | ||
| Td(ဖွင့်) | ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | VDD= 50V၊ VGS=10V၊ RG=1Ω၊RL=1Ω၊IDS=10A။ | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | မြင့်တက်ချိန် | --- | 18 | --- | ||
| Td(ပိတ်) | ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | --- | 36 | --- | ||
| Tf | ဆောင်းရာသီ | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Input Capacitance | VDS= 40V၊ VGS=0V ၊ f=1MHz | --- | ၃၇၅၀ | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance ၊ | --- | ၃၉၅ | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | ၁၈၀ | --- |
