WSD60N12GDN56 N-ချန်နယ် 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ထုတ်ကုန်များ

WSD60N12GDN56 N-ချန်နယ် 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

အပိုင်းနံပါတ်-WSD60N12GDN56

BVDSS-120V

ID-70A

RDSON:10mΩ

ချန်နယ်-N-ချန်နယ်

အထုပ်DFN5X6-8


ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

WINSOK MOSFET ထုတ်ကုန် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်

WSD60N12GDN56 MOSFET ၏ဗို့အားသည် 120V၊ လက်ရှိ 70A၊ ခုခံမှုမှာ 10mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး၊ အထုပ်မှာ DFN5X6-8 ဖြစ်သည်။

WINSOK MOSFET လျှောက်လွှာတင်သည့်နေရာများ

ဆေးဘက်ဆိုင်ရာပစ္စည်းများ MOSFET၊ ဒရုန်းများ MOSFET၊ PD ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ MOSFET၊ LED ပါဝါထောက်ပံ့ရေးပစ္စည်းများ MOSFET၊ စက်မှုသုံးပစ္စည်းများ MOSFET။

MOSFET အပလီကေးရှင်းကွက်လပ်များWINSOK MOSFET သည် အခြားအမှတ်တံဆိပ်ပစ္စည်းနံပါတ်များနှင့် သက်ဆိုင်သည်။

AOS MOSFET AON6226၊AON6294၊AON6298၊AONS6292၊AONS6692၊AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC974X။

MOSFET ဘောင်များ

သင်္ကေတ

ကန့်သတ်ချက်

အဆင့်သတ်မှတ်ချက်

ယူနစ်

VDS

Drain-Source Voltage

၁၂၀

V

VGS

Gate-Source Voltage

±20

V

ID@TC= 25 ℃

Continuous Drain Current

70

A

IDP

Pulsed Drain Current

၁၅၀

A

EAS

Avalanche Energy၊ Single pulse

၅၃.၈

mJ

PD@TC= 25 ℃

စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation

၁၄၀

ဒဗလျူ

TSTG

သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ

-၅၅ မှ ၁၅၀

TJ 

Operating Junction Temperature Range

-၅၅ မှ ၁၅၀

 

သင်္ကေတ

ကန့်သတ်ချက်

အခြေအနေများ

မင်း

စာရိုက်ပါ။

မက်တယ်။

ယူနစ်

BVDSS 

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V၊ ငါD=250uA

၁၂၀

---

---

V

  Static Drain-Source On-Resistance VGS=10V၊ID=10A။

---

10

၁၅

RDS(ဖွင့်)

VGS=4.5V၊ID=10A။

---

18

၂၅

VGS(ကြိမ်မြောက်)

Gate Threshold Voltage VGS=VDSငါD=250uA

၁.၂

---

၂.၅

V

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS= 80V၊ VGS=0V၊ TJ= 25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V ၊ VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

စုစုပေါင်း Gate Charge (10V) VDS= 50V၊ VGS=10V၊ID=25A

---

33

---

nC

Qgs 

Gate-Source Charge

---

၅.၆

---

Qgd 

Gate-Drain Charge

---

၇.၂

---

Td(ဖွင့်)

ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် VDD= 50V၊ VGS=10V၊

RG=2Ω၊ ငါD=25A

---

22

---

ns

Tr 

မြင့်တက်ချိန်

---

10

---

Td(ပိတ်)

ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်

---

85

---

Tf 

ဆောင်းရာသီ

---

၁၁၂

---

Ciss 

Input Capacitance VDS= 50V၊ VGS=0V ၊ f=1MHz

---

၂၆၄၀

---

pF

Coss

Output Capacitance ၊

---

၃၃၀

---

Crss 

Reverse Transfer Capacitance

---

11

---

IS 

စဉ်ဆက်မပြတ် ရင်းမြစ် Current VG=VD=0V၊ တွန်းအား လက်ရှိ

---

---

50

A

ISP

Pulsed Source Current

---

---

၁၅၀

A

VSD

Diode သည် Forward Voltage ဖြစ်သည်။ VGS=0V၊ ငါS=12A၊TJ= 25 ℃

---

---

၁.၃

V

trr 

ပြန်လည်ရယူချိန် IF=25A၊dI/dt=100A/µs၊TJ= 25 ℃

---

62

---

nS

Qrr 

Reverse Recovery Charge

---

၁၃၅

---

nC

 


  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။