WSD6070DN56 N-ချန်နယ် 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET ထုတ်ကုန် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်
WSD6070DN56 MOSFET ၏ဗို့အားသည် 60V၊ လက်ရှိ 80A၊ ခုခံမှုမှာ 7.3mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး၊ အထုပ်သည် DFN5X6-8 ဖြစ်သည်။
WINSOK MOSFET လျှောက်လွှာတင်သည့်နေရာများ
အီးစီးကရက် MOSFET၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းသည့် MOSFET၊ မော်တာ MOSFET၊ ဒရုန်း MOSFET၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ စောင့်ရှောက်မှု MOSFET၊ ကားအားသွင်းကိရိယာ MOSFET၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာ MOSFET၊ ဒစ်ဂျစ်တယ် ထုတ်ကုန် MOSFET၊ အသေးစား အိမ်သုံးပစ္စည်း MOSFET၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်း MOSFET။
WINSOK MOSFET သည် အခြားသော ကုန်အမှတ်တံဆိပ် နံပါတ်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X။
MOSFET ဘောင်များ
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အဆင့်သတ်မှတ်ချက် | ယူနစ် |
| VDS | Drain-Source Voltage | 60 | V |
| VGS | Gate-Source ဗို့အား | ±20 | V |
| TJ | အများဆုံးလမ်းဆုံအပူချိန် | ၁၅၀ | °C |
| ID | သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ | -၅၅ မှ ၁၅၀ | °C |
| IS | Diode သည် ဆက်တိုက် ရှေ့သို့ လျှပ်စီးကြောင်း၊ TC=25°C | 80 | A |
| ID | Continuous Drain Current, VGS=10V၊TC=25°C | 80 | A |
| Continuous Drain Current, VGS=10V၊TC=100°C | 66 | A | |
| IDM | Pulsed Drain Current ၊T ၊C=25°C | ၃၀၀ | A |
| PD | အများဆုံးပါဝါ Dissipation၊TC=25°C | ၁၅၀ | W |
| အများဆုံးပါဝါ Dissipation၊TC=100°C | 75 | W | |
| RθJA | Thermal Resistance-Junction to Ambient ,t =10s ̀ | 50 | °C/W |
| Thermal Resistance-Junction to Ambient ၊Steady State | ၆၂.၅ | °C/W | |
| RqJC | Thermal Resistance-Junction to Case | 1 | °C/W |
| IAS | Avalanche Current၊ Single pulse၊ L=0.5mH | 30 | A |
| EAS | Avalanche Energy၊ Single pulse၊ L=0.5mH | ၂၂၅ | mJ |
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အခြေအနေများ | မင်း | စာရိုက်ပါ။ | မက်တယ်။ | ယူနစ် |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V၊ ငါD=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperature Coefficient | 25 ကိုကိုးကား℃ငါD=1mA | --- | ၀.၀၄၃ | --- | V/℃ |
| RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V၊ ID=40A | --- | ၇.၀ | ၉.၀ | mΩ |
| VGS(ကြိမ်မြောက်) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDSငါD=250uA | 2.0 | ၃.၀ | 4.0 | V |
| △VGS(ကြိမ်မြောက်) | VGS(ကြိမ်မြောက်)Temperature Coefficient | --- | -၆.၉၄ | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=48V၊VGS=0V၊ TJ=၂၅℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V၊VGS=0V၊ TJ=၅၅℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V ၊ VDS=0V | --- | --- | ±၁၀၀ | nA |
| gfs | ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း။ | VDS= 5V၊ ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V၊ VGS=0V ၊ f=1MHz | --- | ၁.၀ | --- | Ω |
| Qg | စုစုပေါင်း Gate Charge (10V) | VDS= 30V၊ VGS=10V၊ID=40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 12 | --- | ||
| Td(ဖွင့်) | ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | VDD= 30V၊ Vဗိုလ်ချုပ်= 10V ၊ RG=1ΩငါD=1A ၊RL=15Ω | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | မြင့်တက်ချိန် | --- | 10 | --- | ||
| Td(ပိတ်) | ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | --- | 40 | --- | ||
| Tf | ဆောင်းရာသီ | --- | 35 | --- | ||
| Ciss | Input Capacitance | VDS= 30V၊ VGS=0V ၊ f=1MHz | --- | ၂၆၈၀ | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance ၊ | --- | ၃၈၆ | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | ၁၆၀ | --- |
