WSD6040DN56 N-ချန်နယ် 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET ထုတ်ကုန် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်
WSD6040DN56 MOSFET ၏ဗို့အားမှာ 60V၊ လက်ရှိ 36A၊ ခုခံမှုမှာ 14mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး၊ အထုပ်မှာ DFN5X6-8 ဖြစ်သည်။
WINSOK MOSFET လျှောက်လွှာတင်သည့်နေရာများ
အီးစီးကရက် MOSFET၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းသည့် MOSFET၊ မော်တာ MOSFET၊ ဒရုန်း MOSFET၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ စောင့်ရှောက်မှု MOSFET၊ ကားအားသွင်းကိရိယာ MOSFET၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာ MOSFET၊ ဒစ်ဂျစ်တယ် ထုတ်ကုန် MOSFET၊ အသေးစား အိမ်သုံးပစ္စည်း MOSFET၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်း MOSFET။
WINSOK MOSFET သည် အခြားသော ကုန်အမှတ်တံဆိပ် နံပါတ်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
AOS MOSFET AON6264C၊AON6264E၊AON6266E၊AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
MOSFET ဘောင်များ
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အဆင့်သတ်မှတ်ချက် | ယူနစ် | ||
| VDS | Drain-Source Voltage | 60 | V | ||
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V | ||
| ID | Continuous Drain Current | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Continuous Drain Current | TA=25°C | ၈.၄ | A | |
| TA=100°C | ၆.၈ | ||||
| IDMa | Pulsed Drain Current | TC=25°C | ၁၄၀ | A | |
| PD | အများဆုံးပါဝါ Dissipation | TC=25°C | ၃၇.၈ | W | |
| TC=100°C | ၁၅.၁ | ||||
| PD | အများဆုံးပါဝါ Dissipation | TA=25°C | ၂.၀၈ | W | |
| TA=70°C | ၁.၃၃ | ||||
| IAS c | Avalanche Current၊ Single pulse | L=0.5mH | 16 | A | |
| EASc | Single Pulse Avalanche Energy | L=0.5mH | 64 | mJ | |
| IS | Diode သည် Continuous Forward Current ဖြစ်သည်။ | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | အများဆုံးလမ်းဆုံအပူချိန် | ၁၅၀ | ℃ | ||
| TSTG | သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ | ||
| RθJAb | ပတ်ဝန်းကျင်မှ အပူဒဏ်ခံနိုင်မှုလမ်းဆုံ | တည်ငြိမ်သောအခြေအနေ | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Thermal Resistance-Junction to Case | တည်ငြိမ်သောအခြေအနေ | ၃.၃ | ℃/W | |
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အခြေအနေများ | မင်း | စာရိုက်ပါ။ | မက်တယ်။ | ယူနစ် | |
| အငြိမ် | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS = 0V၊ ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Gate Leakage Current | VGS = ±20V၊ VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| ဝိသေသလက္ခဏာများ | |||||||
| VGS(TH) | Gate Threshold Voltage | VGS = VDS၊ IDS = 250µA | 1 | ၁.၆ | ၂.၅ | V | |
| RDS(ဖွင့်)d | Drain-Source On-state Resistance | VGS = 10V၊ ID = 25A | 14 | ၁၇.၅ | mΩ | ||
| VGS = 4.5V၊ ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| ပြောင်းခြင်း။ | |||||||
| Qg | စုစုပေါင်းဂိတ်တာဝန်ခံ | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | ၆.၄ | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain Charge | ၉.၆ | nC | ||||
| td (ဖွင့်) | ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | မြင့်တက်ချိန်ကို ဖွင့်ပါ။ | 9 | ns | ||||
| td(ပိတ်) | နှောင့်နှေးချိန်ကို ပိတ်ပါ။ | 58 | ns | ||||
| tf | Fall Time ကို ပိတ်ပါ။ | 14 | ns | ||||
| Rg | Gat ခုခံမှု | VGS=0V၊ VDS=0V၊ f=1MHz | ၁.၅ | Ω | |||
| တက်ကြွသော | |||||||
| Ciss | Capacitance မှာ | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | ၂၁၀၀ | pF | |||
| Coss | Capacitance ထွက်လာတယ်။ | ၁၄၀ | pF | ||||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | ၁၀၀ | pF | ||||
| Drain-Source Diode လက္ခဏာများနှင့် အမြင့်ဆုံးအဆင့် သတ်မှတ်ချက်များ | |||||||
| IS | စဉ်ဆက်မပြတ် ရင်းမြစ် Current | VG=VD=0V၊ တွန်းအား လက်ရှိ | 18 | A | |||
| ISM | Pulsed Source Current ၃ | 35 | A | ||||
| VSDd | Diode သည် Forward Voltage ဖြစ်သည်။ | ISD = 20A ၊ VGS = 0V | ၀.၈ | ၁.၃ | V | ||
| tr | ပြန်လည်ရယူချိန် | ISD=25A၊ dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | 33 | nC | ||||
