WSD45N10GDN56 N-ချန်နယ် 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

WSD45N10GDN56 N-channel 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET အထူးအသားပေးပုံ

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

အပိုင်းနံပါတ်-WSD45N10GDN56

BVDSS-100V

ID-45A

RDSON:14.5mΩ

ချန်နယ်-N-ချန်နယ်

အထုပ်DFN5X6-8

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

WINSOK MOSFET ထုတ်ကုန် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်

WSD45N10GDN56 MOSFET ၏ဗို့အားသည် 100V၊ လက်ရှိ 45A၊ ခုခံမှုမှာ 14.5mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး၊ အထုပ်သည် DFN5X6-8 ဖြစ်သည်။

WINSOK MOSFET လျှောက်လွှာတင်သည့်နေရာများ

အီးစီးကရက် MOSFET၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းသည့် MOSFET၊ မော်တာ MOSFET၊ ဒရုန်း MOSFET၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ စောင့်ရှောက်မှု MOSFET၊ ကားအားသွင်းကိရိယာ MOSFET၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာ MOSFET၊ ဒစ်ဂျစ်တယ် ထုတ်ကုန် MOSFET၊ အသေးစား အိမ်သုံးပစ္စည်း MOSFET၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်း MOSFET။

WINSOK MOSFET သည် အခြားသော ကုန်အမှတ်တံဆိပ် နံပါတ်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

AOS MOSFET AON6226၊AON6294၊AON6298၊AONS6292၊AONS6692၊AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X။

MOSFET ဘောင်များ

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
VDS	Drain-Source Voltage	၁၀၀	V
VGS	Gate-Source ဗို့အား	±20	V
I_D@T_C=၂၅℃	Continuous Drain Current, V_GS@10V	45	A
I_D@T_C=၁၀၀℃	Continuous Drain Current, V_GS@10V	33	A
I_D@T_A=၂၅℃	Continuous Drain Current, V_GS@10V	12	A
I_D@T_A=၇၀℃	Continuous Drain Current, V_GS@10V	၉.၆	A
IDMA	Pulsed Drain Current	၁၃၀	A
EASb	Single Pulse Avalanche Energy	၁၆၉	mJ
IASb	Avalanche Current	26	A
P_D@T_C=၂၅℃	စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation	95	W
P_D@T_A=၂၅℃	စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation	၅.၀	W
TSTG	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃
T_J	Operating Junction Temperature Range	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အခြေအနေများ	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
BV_DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	V_GS=0V၊ ငါ_D=250uA	၁၀၀	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperature Coefficient	25 ကိုကိုးကား℃ငါ_D=1mA	---	၀.၀	---	V/℃
RDS(ဖွင့်)^d	Static Drain-Source On-Resistance²	V_GS=10V၊I_D=26A	---	၁၄.၅	၁၇.၅	mΩ
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	V_GS=V_DSငါ_D=250uA	2.0	၃.၀	4.0	V
△V_{GS(ကြိမ်မြောက်)}	V_{GS(ကြိမ်မြောက်)}Temperature Coefficient	V_GS=V_DSငါ_D=250uA	---	-5		mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS= 80V၊ V_GS=0V၊ T_J=၂၅℃	---	-	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS= 80V၊ V_GS=0V၊ T_J=၅၅℃	---	-	30	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	V_GS=±20V ၊ V_DS=0V	---	-	±၁၀၀	nA
Rge	Gate Resistance	V_DS=0V၊ V_GS=0V ၊ f=1MHz	---	၁.၀	---	Ω
Qge	စုစုပေါင်း Gate Charge (10V)	V_DS= 50V၊ V_GS=10V၊I_D=26A	---	42	59	nC
Qgse	Gate-Source Charge		---	12	--
Qgde	Gate-Drain Charge		---	12	---
Td(ဖွင့်)^e	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	V_DD= 30V၊ V_{ဗိုလ်ချုပ်}= 10V ၊ R_G=6Ω I_D=1A ၊RL=30Ω	---	19	35	ns
ထရီ	မြင့်တက်ချိန်		---	9	17
Td(ပိတ်)^e	ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်		---	36	65
Tfe	ဆောင်းရာသီ		---	22	40
Cisse	Input Capacitance	V_DS= 30V၊ V_GS=0V ၊ f=1MHz	---	၁၈၀၀	---	pF
Cosse	Output Capacitance ၊		---	၂၁၅	---
Crsse	Reverse Transfer Capacitance		---	42	---