WSD4280DN22 Dual P-channel -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET ထုတ်ကုန် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်
WSD4280DN22 MOSFET ၏ဗို့အားမှာ -15V၊ လက်ရှိမှာ -4.6A၊ ခုခံမှုမှာ 47mΩ၊ ချန်နယ်သည် Dual P-channel ဖြစ်ပြီး၊ အထုပ်မှာ DFN2X2-6L ဖြစ်သည်။
WINSOK MOSFET လျှောက်လွှာတင်သည့်နေရာများ
Bidirectional ပိတ်ဆို့ခြင်းခလုတ်; DC-DC ပြောင်းလဲခြင်း အက်ပ်များ; Li-ဘက်ထရီအားသွင်းခြင်း၊ အီးစီးကရက် MOSFET၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းခြင်း MOSFET၊ ကားအားသွင်းသည့် MOSFET၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာ MOSFET၊ ဒစ်ဂျစ်တယ် ထုတ်ကုန် MOSFET၊ အသေးစား အိမ်သုံးပစ္စည်း MOSFET၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်း MOSFET။
WINSOK MOSFET သည် အခြားသော ကုန်အမှတ်တံဆိပ် နံပါတ်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
PANJIT MOSFET PJQ2815
MOSFET ဘောင်များ
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အဆင့်သတ်မှတ်ချက် | ယူနစ် |
| VDS | Drain-Source Voltage | စာ-၁၅ | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±8 | V |
| ID@Tc= 25 ℃ | Continuous Drain Current, VGS= -4.5V1 | -၄.၆ | A |
| IDM | 300μS Pulsed Drain Current, (VGS=-4.5V) | စာ-၁၅ | A |
| PD | အပေါ်က Power Dissipation Derating TA = 25°C (မှတ်ချက် 2) | ၁.၉ | W |
| TSTG၊TJ | သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ |
| RθJA | Thermal Resistance Junction-ambient1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | အပူဒဏ်ခံနိုင်သော Junction-Case1 | 50 | ℃/W |
လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာလက္ခဏာများ (TJ = 25 ℃၊ အခြားနည်းဖြင့်မှတ်သားထားခြင်းမရှိပါက)
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အခြေအနေများ | မင်း | စာရိုက်ပါ။ | မက်တယ်။ | ယူနစ် |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V၊ ငါD=-250uA | စာ-၁၅ | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS Temperature Coefficient | 25 ℃, I ကိုကိုးကားD=-1mA | --- | -0.01 | --- | V/℃ |
| RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=-4.5V, ID=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2.5V, ID=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1.8V, ID=-1A | --- | 90 | ၁၅၀ | |||
| VGS(ကြိမ်မြောက်) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDSငါD=-250uA | -0.4 | -0.62 | -၁.၂ | V |
| △ VGS(ကြိမ်မြောက်) | VGS(ကြိမ်မြောက်)Temperature Coefficient | --- | ၃.၁၃ | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=-10V၊ VGS=0V၊ TJ= 25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10V၊ VGS=0V၊ TJ= 55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±12V ၊ VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း။ | VDS=-5V, ID=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V၊ VGS=0V ၊ f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | စုစုပေါင်း Gate Charge (-4.5V) | VDS=-10V၊ VGS=-4.5V, ID=-4.6A | --- | ၉.၅ | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | ၁.၄ | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | ၂.၃ | --- | ||
| Td(ဖွင့်) | ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | VDD=-10V၊VGS=-4.5V ၊ RG=1Ω ID=-3.9A၊ | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | မြင့်တက်ချိန် | --- | 16 | --- | ||
| Td(ပိတ်) | ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | --- | 30 | --- | ||
| Tf | ဆောင်းရာသီ | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Input Capacitance | VDS=-10V၊ VGS=0V ၊ f=1MHz | --- | ၇၈၁ | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance ၊ | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 96 | --- |
