WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

၎င်းသည် Apple ဖုန်းများကို အလိုအလျောက်သိရှိနိုင်ပြီး ခလုတ်ဖွင့်ရန်မလိုအပ်သော သံလိုက်ကြိုးမဲ့ပါဝါဘဏ်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC ထည့်သွင်းမှုနှင့် အမြန်အားသွင်းမှု ပရိုတိုကောများကို ထုတ်ပေးသည်။ ၎င်းသည် Apple/Samsung မိုဘိုင်းလ်ဖုန်း synchronous boost/step-down converters၊ Li ဘက်ထရီအားသွင်းစီမံခန့်ခွဲမှု၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ပြွန်ပါဝါညွှန်ပြမှု၊ သံလိုက်ကြိုးမဲ့အားသွင်းစနစ်နှင့် အခြားလုပ်ဆောင်ချက်များနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သည့် ကြိုးမဲ့ပါဝါဘဏ်ထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်သည်။

မော်ဒယ်နံပါတ်-WSD4098

BVDSS-40V

RDSON-7.8mΩ

ID-22A

ချန်နယ်-N-Channel နှစ်ခု

အထုပ်-DFN5*6-8

ထုတ်ကုန် SummeryWSD4098 MOSFET ၏ဗို့အားမှာ 40V၊ လက်ရှိ is22A၊ ခုခံမှုမှာ 7.8mΩ၊ ချန်နယ်သည် Dual N-Channel ဖြစ်ပြီး ပက်ကေ့ချ်မှာ DFN5*6-8 ဖြစ်သည်။

အပလီကေးရှင်းများအီး-စီးကရက်၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းမှု၊ မော်တာများ၊ ဒရုန်းများ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ စောင့်ရှောက်မှု၊ ကားအားသွင်းကိရိယာများ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ထုတ်ကုန်များ၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းငယ်များ၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

အထွေထွေဖော်ပြချက်

WSD4098DN56 သည် အလွန်မြင့်မားသောဆဲလ်သိပ်သည်းဆရှိသော Dual N-Ch MOSFET စွမ်းဆောင်ရည်အမြင့်ဆုံးကတုတ်ကျင်းဖြစ်ပြီး၊ synchronous buck converter အပလီကေးရှင်းအများစုအတွက် အထူးကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် gate charge ကိုပေးဆောင်သည်။ WSD4098DN56 သည် RoHS နှင့် Green Product လိုအပ်ချက် 100% EAS နှင့် ကိုက်ညီပြီး function ယုံကြည်စိတ်ချရမှု အပြည့်ဖြင့် အတည်ပြုထားသည်။

အင်္ဂါရပ်များ

အဆင့်မြင့်ဆဲလ်သိပ်သည်းဆမြင့်သော Trench နည်းပညာ၊ Super Low Gate Charge၊ Excellent CdV/dt effect ကျဆင်းမှု၊ 100% EAS အာမခံချက်၊ အစိမ်းရောင်စက်ပစ္စည်း ရရှိနိုင်ပါသည်

အသုံးချမှု

မြင့်မားသော Frequency Point-of-Load Synchronous၊ MB/NB/UMPC/VGA အတွက် Buck Converter၊ Networking DC-DC Power System၊ Load Switch၊ E-cigarettes၊ ကြိုးမဲ့အားသွင်းခြင်း၊ မော်တာများ၊ ဒရုန်းများ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ စောင့်ရှောက်မှု၊ ကားအားသွင်းကိရိယာများ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ် ထုတ်ကုန်များ၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းငယ်များ၊ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ။

သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်

AOS AON6884

အရေးကြီးသောဘောင်များ

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်		အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
အသုံးများသော အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များ
VDSS	Drain-Source Voltage		40	V
VGSS	Gate-Source Voltage		±20	V
TJ	အများဆုံးလမ်းဆုံအပူချိန်		၁၅၀	°C
TSTG	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ		-၅၅ မှ ၁၅၀	°C
IS	Diode သည် Continuous Forward Current ဖြစ်သည်။	TA=25°C	၁၁.၄	A
ID	Continuous Drain Current	TA=25°C	22	A
ID	Continuous Drain Current			A
		TA=70°C	22
ငါ DM b	Pulse Drain Current Tested	TA=25°C	88	A
PD	အများဆုံးပါဝါ Dissipation	T. = 25°C	25	W
PD	အများဆုံးပါဝါ Dissipation	TC=70°C	10	W
RqJL	Thermal Resistance-Junction to lead	တည်ငြိမ်သောအခြေအနေ	5	°C/W
RqJA	Thermal Resistance-Junction to Ambient	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Thermal Resistance-Junction to Ambient	တည်တည်ငြိမ်ငြိမ် ခ	90	°C/W
ငါ AS ဃ	Avalanche Current၊ Single pulse	L=0.5mH	28	A
E AS ဃ	Avalanche Energy၊ Single pulse	L=0.5mH	၃၉.၂	mJ

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	စမ်းသပ်မှုအခြေအနေများ		မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
Static လက္ခဏာများ
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V၊ IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current	VDS=32V၊ VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current						mA
			TJ = 85°C	-	-	30
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	VDS=VGS၊ IDS=250mA		၁.၂	၁.၈	၂.၅	V
IGSS	Gate Leakage Current	VGS=±20V၊ VDS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) e	Drain-Source On-state Resistance	VGS=10V၊ IDS=14A		-	၆.၈	၇.၈	m W
R DS(ON) e	Drain-Source On-state Resistance	VGS=4.5V၊ IDS=12 A		-	၉.၀	11	m W
Diode လက္ခဏာများ
V SD e	Diode သည် Forward Voltage ဖြစ်သည်။	ISD=1A၊ VGS=0V		-	၀.၇၅	၁.၁	V
tr	ပြန်လည်ရယူချိန်	ISD=20A၊ dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Reverse Recovery Charge	ISD=20A၊ dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
ဒိုင်းနမစ်လက္ခဏာများ f
RG	Gate Resistance	VGS=0V၊VDS=0V၊F=1MHz		-	၂.၅	-	W
Ciss	Input Capacitance	VGS=0V၊ VDS=20V၊ ကြိမ်နှုန်း = 1.0MHz		-	၁၃၇၀	၁၇၈၁	pF
Coss	Output Capacitance ၊			-	၃၁၇	-
Crss	Reverse Transfer Capacitance			-	96	-
td(ဖွင့်)	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	VDD =20V၊ RL=20W၊ IDS=1A၊ VGEN=10V၊ RG=6W		-	၁၃.၈	-	ns
tr	မြင့်တက်ချိန်ကို ဖွင့်ပါ။			-	8	-
td(ပိတ်)	နှောင့်နှေးချိန်ကို ပိတ်ပါ။			-	30	-
tf	Fall Time ကို ပိတ်ပါ။			-	21	-
ဂိတ်တာဝန်ခံ လက္ခဏာများ f
Qg	စုစုပေါင်းဂိတ်တာဝန်ခံ	VDS=20V၊ VGS=10V၊ IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	စုစုပေါင်းဂိတ်တာဝန်ခံ	VDS=20V၊ VGS=4.5V၊ IDS=6A		-	22	-
Qgth	Threshold ဂိတ်တာဝန်ခံ			-	၂.၆	-
Qgs	Gate-Source Charge			-	၄.၇	-
Qgd	Gate-Drain Charge			-	3	-