WSD4076DN56 N-channel 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ထုတ်ကုန်များ

WSD4076DN56 N-channel 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

အပိုင်းနံပါတ်-WSD4076DN56

BVDSS-40V

ID-76A

RDSON:6.9mΩ 

ချန်နယ်-N-ချန်နယ်

အထုပ်DFN5X6-8


ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

WINSOK MOSFET ထုတ်ကုန် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်

WSD4076DN56 MOSFET ၏ဗို့အားမှာ 40V၊ လက်ရှိ 76A၊ ခုခံမှုမှာ 6.9mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး၊ အထုပ်မှာ DFN5X6-8 ဖြစ်သည်။

WINSOK MOSFET လျှောက်လွှာတင်သည့်နေရာများ

သေးငယ်သောပစ္စည်းများ MOSFET၊ လက်ကိုင်သုံးပစ္စည်းများ MOSFET၊ မော်တာ MOSFET။

WINSOK MOSFET သည် အခြားသော ကုန်အမှတ်တံဆိပ် နံပါတ်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG၊STL64DN4F7AG၊STL64N4F7AG။

PANJIT MOSFET PJQ5442။

POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X။

MOSFET ဘောင်များ

သင်္ကေတ

ကန့်သတ်ချက်

အဆင့်သတ်မှတ်ချက်

ယူနစ်

VDS

Drain-Source Voltage

40

V

VGS

Gate-Source ဗို့အား

±20

V

ID@TC=၂၅

Continuous Drain Current, VGS@10V

76

A

ID@TC=၁၀၀

Continuous Drain Current, VGS@10V

33

A

IDM

Pulsed Drain Currenta

၁၂၅

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energyb

31

mJ

IAS

Avalanche Current

31

A

PD@Ta=၂၅

စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation

၁.၇

W

TSTG

သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ

-၅၅ မှ ၁၅၀

TJ

Operating Junction Temperature Range

-၅၅ မှ ၁၅၀

 

သင်္ကေတ

ကန့်သတ်ချက်

အခြေအနေများ

မင်း

စာရိုက်ပါ။

မက်တယ်။

ယူနစ်

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V၊ ငါD=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperature Coefficient 25 ကိုကိုးကားငါD=1mA

---

၀.၀၄၃

---

V/

RDS(ဖွင့်)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=10V၊ ID=12A

---

၆.၉

၈.၅

mΩ

RDS(ဖွင့်)

Static Drain-Source On-Resistance2 VGS=4.5V၊ ID=10A

---

10

15

VGS(ကြိမ်မြောက်)

Gate Threshold Voltage VGS=VDSငါD=250uA

၁.၅

၁.၆

၂.၅

V

VGS(ကြိမ်မြောက်)

VGS(ကြိမ်မြောက်)Temperature Coefficient

---

-၆.၉၄

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS= 32V၊ VGS=0V၊ TJ=၂၅

---

---

2

uA

VDS= 32V၊ VGS=0V၊ TJ=၅၅

---

---

10

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V ၊ VDS=0V

---

---

±၁၀၀

nA

gfs

ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း။ VDS= 5V၊ ID=20A

---

18

---

S

Rg

Gate Resistance VDS=0V၊ VGS=0V ၊ f=1MHz

---

၁.၇

---

Ω

Qg

စုစုပေါင်း Gate Charge (10V) VDS=20V၊VGS= 4.5V, ID=12A

---

၅.၈

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

၃.၀

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

၁.၂

---

Td(ဖွင့်)

ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် VDD=15V၊Vဗိုလ်ချုပ်= 10V ၊ RG=၃.၃ΩငါD=1A

---

12

---

ns

Tr

မြင့်တက်ချိန်

---

၅.၆

---

Td(ပိတ်)

ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်

---

20

---

Tf

ဆောင်းရာသီ

---

11

---

Ciss

Input Capacitance VDS=15V၊VGS=0V ၊ f=1MHz

---

၆၈၀

---

pF

Coss

Output Capacitance ၊

---

၁၈၅

---

Crss

Reverse Transfer Capacitance

---

38

---


  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။