WSD4076DN56 N-channel 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET ထုတ်ကုန် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်
WSD4076DN56 MOSFET ၏ဗို့အားမှာ 40V ဖြစ်ပြီး လက်ရှိမှာ 76A၊ ခုခံမှုမှာ 6.9mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး ပက်ကေ့ချ်မှာ DFN5X6-8 ဖြစ်သည်။
WINSOK MOSFET လျှောက်လွှာတင်သည့်နေရာများ
သေးငယ်သောပစ္စည်းများ MOSFET၊ လက်ကိုင်သုံးပစ္စည်းများ MOSFET၊ မော်တာ MOSFET။
WINSOK MOSFET သည် အခြားသော ကုန်အမှတ်တံဆိပ် နံပါတ်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG၊STL64DN4F7AG၊STL64N4F7AG။
PANJIT MOSFET PJQ5442။
POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X။
MOSFET ဘောင်များ
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အဆင့်သတ်မှတ်ချက် | ယူနစ် |
| VDS | Drain-Source Voltage | 40 | V |
| VGS | Gate-Source ဗို့အား | ±20 | V |
| ID@TC=၂၅℃ | Continuous Drain Current, VGS@10V | 76 | A |
| ID@TC=၁၀၀℃ | Continuous Drain Current, VGS@10V | 33 | A |
| IDM | Pulsed Drain Currenta | ၁၂၅ | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energyb | 31 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 31 | A |
| PD@Ta=၂၅℃ | စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation | ၁.၇ | W |
| TSTG | သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ |
| TJ | Operating Junction Temperature Range | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ |
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အခြေအနေများ | မင်း | စာရိုက်ပါ။ | မက်တယ်။ | ယူနစ် |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V၊ ငါD=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperature Coefficient | 25 ကိုကိုးကား℃ငါD=1mA | --- | ၀.၀၄၃ | --- | V/℃ |
| RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V၊ ID=12A | --- | ၆.၉ | ၈.၅ | mΩ |
| RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=4.5V၊ ID=10A | --- | 10 | 15 | mΩ |
| VGS(ကြိမ်မြောက်) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDSငါD=250uA | ၁.၅ | ၁.၆ | ၂.၅ | V |
| △VGS(ကြိမ်မြောက်) | VGS(ကြိမ်မြောက်)Temperature Coefficient | --- | -၆.၉၄ | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 32V၊ VGS=0V၊ TJ=၂၅℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 32V၊ VGS=0V၊ TJ=၅၅℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V ၊ VDS=0V | --- | --- | ±၁၀၀ | nA |
| gfs | ရှေ့သို့ ကူးပြောင်းခြင်း။ | VDS= 5V၊ ID=20A | --- | 18 | --- | S |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V၊ VGS=0V ၊ f=1MHz | --- | ၁.၇ | --- | Ω |
| Qg | စုစုပေါင်း Gate Charge (10V) | VDS=20V၊VGS= 4.5V, ID=12A | --- | ၅.၈ | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | ၃.၀ | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | ၁.၂ | --- | ||
| Td(ဖွင့်) | ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | VDD=15V၊Vဗိုလ်ချုပ်= 10V ၊ RG=၃.၃ΩငါD=1A | --- | 12 | --- | ns |
| Tr | မြင့်တက်ချိန် | --- | ၅.၆ | --- | ||
| Td(ပိတ်) | ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | --- | 20 | --- | ||
| Tf | ဆောင်းရာသီ | --- | 11 | --- | ||
| Ciss | Input Capacitance | VDS=15V၊VGS=0V ၊ f=1MHz | --- | ၆၈၀ | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance ၊ | --- | ၁၈၅ | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 38 | --- |
