WSD4018DN22 P-channel -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

အပိုင်းနံပါတ်-WSD4018DN22

BVDSS--40V

ID--18A

RDSON:26mΩ

ချန်နယ်-ပစ္စယော-လက်ပံ

အထုပ်DFN2X2-6L

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။ PDF

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

လျှောက်လွှာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

WINSOK MOSFET ထုတ်ကုန် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်

WSD4018DN22 MOSFET ၏ဗို့အားသည် -40V၊ လက်ရှိမှာ -18A၊ ခုခံမှုမှာ 26mΩ၊ ချန်နယ်သည် P-channel ဖြစ်ပြီး၊ အထုပ်မှာ DFN2X2-6L ဖြစ်သည်။

WINSOK MOSFET လျှောက်လွှာတင်သည့်နေရာများ

အဆင့်မြင့်ဆဲလ်သိပ်သည်းဆမြင့်သော Trench နည်းပညာ၊ Super Low Gate Charge၊ Excellent Cdv/dt effect ကျဆင်းမှု Green Device ရရှိနိုင်သည်၊ Face recognition equipment MOSFET၊ e-cigarette MOSFET၊ အသေးစား အိမ်သုံးပစ္စည်း MOSFET၊ ကားအားသွင်းကိရိယာ MOSFET။

WINSOK MOSFET သည် အခြားသော ကုန်အမှတ်တံဆိပ် နံပါတ်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

AOS MOSFET AON2409၊POTENS MOSFET PDB3909L

MOSFET ဘောင်များ

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အဆင့်သတ်မှတ်ချက်	ယူနစ်
VDS	Drain-Source Voltage	စာ-၄၀	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
I_D@T_c= 25 ℃	Continuous Drain Current, V_GS@-10V¹	စာ-၁၈	A
I_D@T_c= 70 ℃	Continuous Drain Current, V_GS@-10V¹	စာ-၁၄.၆	A
IDM	300μS Pulsed Drain Current,V_GS=-4.5V²	54	A
P_D@T_c= 25 ℃	စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation³	19	W
TSTG	သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃
T_J	Operating Junction Temperature Range	-၅၅ မှ ၁၅၀	℃

လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာလက္ခဏာများ (TJ = 25 ℃၊ အခြားနည်းဖြင့်မှတ်သားထားခြင်းမရှိပါက)

သင်္ကေတ	ကန့်သတ်ချက်	အခြေအနေများ	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	ယူနစ်
BV_DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	V_GS=0V၊ ငါ_D=-250uA	စာ-၄၀	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Temperature Coefficient	25 ℃ ၊ ကိုးကား_D=-1mA	---	-0.01	---	V/℃
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance²	V_GS=-10V, I_D=-8.0A	---	26	34	mΩ
RDS(ဖွင့်)	Static Drain-Source On-Resistance²	V_GS=-4.5V, I_D=-6.0A	---	31	42	mΩ
VGS(ကြိမ်မြောက်)	Gate Threshold Voltage	V_GS=V_DSငါ_D=-250uA	-1.0	-1.5	-၃.၀	V
△ V_{GS(ကြိမ်မြောက်)}	V_{GS(ကြိမ်မြောက်)}Temperature Coefficient	V_GS=V_DSငါ_D=-250uA	---	၃.၁၃	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS=-40V၊ V_GS=0V၊ T_J= 25 ℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS=-40V၊ V_GS=0V၊ T_J= 55 ℃	---	---	-5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	V_GS=±20V ၊ V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	စုစုပေါင်း Gate Charge (-4.5V)	V_DS=-20V၊ V_GS=-10V, I_D=-1.5A	---	27	---	nC
Q_gs	Gate-Source Charge		---	၂.၅	---
Q_gd	Gate-Drain Charge		---	၆.၇	---
Td(ဖွင့်)	ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန်	V_DD=-20V၊ V_GS=-10V၊R_G=3Ω၊ RL=10Ω	---	၉.၈	---	ns
T_r	မြင့်တက်ချိန်		---	11	---
Td(ပိတ်)	ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန်		---	54	---
T_f	ဆောင်းရာသီ		---	၇.၁	---
C_iss	Input Capacitance	V_DS=-20V၊ V_GS=0V ၊ f=1MHz	---	၁၅၆၀	---	pF
Coss	Output Capacitance ၊		---	၁၁၆	---
C_rss	Reverse Transfer Capacitance		---	97	---