WSD30300DN56G N-ချန်နယ် 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET ထုတ်ကုန် ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်
WSD20100DN56 MOSFET ၏ဗို့အားမှာ 20V ဖြစ်ပြီး လက်ရှိမှာ 90A၊ ခုခံမှုမှာ 1.6mΩ၊ ချန်နယ်သည် N-channel ဖြစ်ပြီး ပက်ကေ့ချ်မှာ DFN5X6-8 ဖြစ်သည်။
WINSOK MOSFET လျှောက်လွှာတင်သည့်နေရာများ
အီလက်ထရွန်းနစ်စီးကရက် MOSFET၊ ဒရုန်း MOSFET၊ လျှပ်စစ်ကိရိယာ MOSFET၊ fascia သေနတ် MOSFET၊ PD MOSFET၊ အသေးစား အိမ်သုံးပစ္စည်း MOSFET။
WINSOK MOSFET သည် အခြားသော ကုန်အမှတ်တံဆိပ် နံပါတ်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
AOS MOSFET AON6572။
POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X။
MOSFET ဘောင်များ
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အဆင့်သတ်မှတ်ချက် | ယူနစ် |
| VDS | Drain-Source Voltage | 20 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±12 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Continuous Drain Current1 | 90 | A |
| ID@TC= 100 ℃ | Continuous Drain Current1 | 48 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current2 | ၂၇၀ | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 80 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 40 | A |
| PD@TC= 25 ℃ | စုစုပေါင်းပါဝါ Dissipation4 | 83 | W |
| TSTG | သိုလှောင်မှု အပူချိန် အတိုင်းအတာ | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ |
| TJ | Operating Junction Temperature Range | -၅၅ မှ ၁၅၀ | ℃ |
| RθJA | Thermal Resistance Junction-ambient1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Thermal Resistance Junction-ambient1(တည်ငြိမ်သောအခြေအနေ) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Thermal Resistance Junction-case1 | ၁.၅ | ℃/W |
| သင်္ကေတ | ကန့်သတ်ချက် | အခြေအနေများ | မင်း | စာရိုက်ပါ။ | မက်တယ်။ | ယူနစ် |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V၊ ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(ကြိမ်မြောက်) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS၊ ID =250uA | ၀.၅ | ၀.၆၈ | ၁.၀ | V |
| RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V၊ ID=20A | --- | ၁.၆ | 2.0 | mΩ |
| RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=4.5V၊ ID=20A | ၁.၉ | ၂.၅ | mΩ | |
| RDS(ဖွင့်) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=2.5V၊ ID=20A | --- | ၂.၈ | ၃.၈ | mΩ |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=16V၊ VGS=0V၊ TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V၊ VGS=0V၊ TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±10V၊ VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Gate Resistance | VDS=0V၊ VGS=0V၊ f=1MHz | --- | ၁.၂ | --- | Ω |
| Qg | စုစုပေါင်း Gate Charge (10V) | VDS=15V၊ VGS=10V၊ ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | ၈.၇ | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 14 | --- | ||
| Td(ဖွင့်) | ဖွင့်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | VDD=15V၊ VGS=10V၊ RG=3 ၊ ID=20A | --- | ၁၀.၂ | --- | ns |
| Tr | မြင့်တက်ချိန် | --- | ၁၁.၇ | --- | ||
| Td(ပိတ်) | ပိတ်ရန်နှောင့်နှေးချိန် | --- | ၅၆.၄ | --- | ||
| Tf | ဆောင်းရာသီ | --- | ၁၆.၂ | --- | ||
| Ciss | Input Capacitance | VDS=10V၊ VGS=0V၊ f=1MHz | --- | ၄၃၀၇ | --- | pF |
| Coss | Output Capacitance ၊ | --- | ၅၀၁ | --- | ||
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | ၃၂၁ | --- | ||
| IS | စဉ်ဆက်မပြတ် ရင်းမြစ် Current၁၊၅ | VG=VD=0V၊ တွန်းအား လက်ရှိ | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Diode သည် Forward Voltage ဖြစ်သည်။2 | VGS=0V၊ IS=1A၊ TJ=25℃ | --- | --- | ၁.၂ | V |
| tr | ပြန်လည်ရယူချိန် | IF=20A၊ di/dt=100A/µs၊ TJ=၂၅℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | --- | 72 | --- | nC |
