-
CMS8H1213 MCU Cmsemicon® Package SSOP24 အသုတ် 24+
Cmsemicon® MCU မော်ဒယ် CMS8H1213 သည် RISC core ကို အခြေခံ၍ တိကျသော တိုင်းတာမှု SoC တစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ လူအကြေးခွံများ၊ မီးဖိုချောင်အကြေးခွံများနှင့် လေစုပ်စက်များကဲ့သို့သော တိကျသောတိုင်းတာမှုနယ်ပယ်များတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုသည်။ အောက်တွင်ဖော်ပြထားသောအသေးစိတ် parameters တွေကိုမိတ်ဆက်ပေးပါလိမ့်မယ် ... -
မူရင်းနေရာ CMS79F726 အထုပ် SOP20 ထိတွေ့ခလုတ် 8-pin မိုက်ခရိုကွန်ထရိုလာ ချစ်ပ်
Cmsemicon® MCU မော်ဒယ် CMS79F726 ၏အသေးစိတ်ပါရာမီတာများတွင် ၎င်းသည် 8-bit microcontroller တစ်ခုဖြစ်ပြီး လည်ပတ်မှုဗို့အားမှာ 1.8V မှ 5.5V အထိဖြစ်သည်။ ဤမိုက်ခရိုကွန်ထရိုလာတွင် 8Kx16 FLASH နှင့် 256x8 RAM ရှိပြီး 128x8 Pro EE ကိုလည်း တပ်ဆင်ထားသည်။ -
PCM3360Q စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများ Cmsemicon® အထုပ် QFN32
Zhongwei မော်ဒယ် PCM3360Q သည် ကားအော်ဒီယိုစနစ်များတွင် အဓိကအသုံးပြုသည့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အော်ဒီယို analog-to-digital converter (ADC) ဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် ADC ချန်နယ် 6 လိုင်းပါရှိပြီး Analog input အချက်ပြမှုများကို လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး 10VRMS အထိ ကွဲပြားသောထည့်သွင်းမှုများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ထို့အပြင်၊ chip သည် programmab ကိုပေါင်းစပ်ထားသည်။ -
မြှင့်တင်ခြင်းနှင့် လျော့နည်းခြင်း MOSFET များကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာခြင်း။
D-FET သည် 0 ဂိတ်ဘက်လိုက်မှု၌ ချန်နယ်တည်ရှိမှုအား FET ကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည်; E-FET သည် 0 ဂိတ်ဘက်လိုက်မှု၌ ချန်နယ်မရှိသောအခါတွင် FET ကို ဆောင်ရွက်နိုင်မည်မဟုတ်ပေ။ ဤ FET အမျိုးအစားနှစ်မျိုးတွင် ၎င်းတို့၏ကိုယ်ပိုင်လက္ခဏာများနှင့် အသုံးပြုမှုများရှိသည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် FET ကို မြန်နှုန်းမြင့်၊ အနိမ့်... -
MOSFET ပက်ကေ့ချ်ရွေးချယ်မှုအတွက် လမ်းညွှန်ချက်များ
ဒုတိယအချက်၊ စနစ်၏အရွယ်အစားကန့်သတ်ချက်များ၊ အချို့သောအီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များသည် PCB ၏အရွယ်အစားအားဖြင့်ကန့်သတ်ထားပြီး၊ ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များ၊ အမြင့်ကန့်သတ်ချက်များကြောင့် modular power supply ကဲ့သို့သောအတွင်းပိုင်းအမြင့်၊ DFN5 * 6၊ DFN3 * 3 package ကိုအသုံးပြုသည်; အချို့သော ACDC ဓာတ်အား ထောက်ပံ့မှုတွင်... -
မြင့်မားသောပါဝါ MOSFET မောင်းနှင်ပတ်လမ်း၏ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်း
အဓိကဖြေရှင်းချက်နှစ်ခုရှိပါသည်- တစ်ခုမှာ MOSFET ကိုမောင်းနှင်ရန်အတွက် သီးခြား driver ချစ်ပ်ကိုအသုံးပြုခြင်း သို့မဟုတ် အမြန် photocouplers များအသုံးပြုခြင်း၊ transistors များသည် MOSFET ကိုမောင်းနှင်ရန်အတွက် circuit တစ်ခုအဖြစ်ဖွဲ့စည်းထားသော်လည်း ပထမချဉ်းကပ်မှုအမျိုးအစားသည် သီးခြား power supply လိုအပ်ပါသည်။ တခြား... -
MOSFET အပူထုတ်လုပ်ခြင်း၏အရေးကြီးသောအကြောင်းရင်းများကိုလေ့လာခြင်း။
N အမျိုးအစား၊ P အမျိုးအစား MOSFET ၏လုပ်ဆောင်မှုနိယာမသည် တူညီသည်၊ MOSFET သည် မြောင်းလက်ရှိ၏အထွက်ဘက်ခြမ်းကိုအောင်မြင်စွာထိန်းချုပ်နိုင်စေရန်အတွက် MOSFET သည် ဗို့အားထိန်းချုပ်သည့်ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်ပြီး ဗို့အားထည့်သွင်းခြင်းမှတစ်ဆင့်၊ တံခါးဆီသို့... -
ပါဝါမြင့်သော MOSFET ကို လောင်ကျွမ်းစေသောနည်းဖြင့် ဆုံးဖြတ်နည်း
(1) MOSFET သည် လျှပ်စီးကြောင်းကို ထိန်းညှိပေးသည့် ဒြပ်စင်ဖြစ်ပြီး ထရန်စစ္စတာသည် လက်ရှိ ခြယ်လှယ်သည့် ဒြပ်စင်ဖြစ်သည်။ မောင်းနှင်နိုင်မှုတွင် မရရှိနိုင်ပါ၊ မောင်းနှင်အားသည် အလွန်သေးငယ်သည်၊ MOSFET ကို ရွေးချယ်သင့်သည်။ signal တွင် ဗို့အား နိမ့်သည် ၊ မှ လျှပ်စီးကြောင်း များ ပိုမို ထုတ်ယူရန် ကတိပြု သည် ။ -
EV ဒက်ရှ်ဘုတ်များသည် ပြိုကွဲလွယ်သည်၊ ၎င်းသည် အသုံးပြုထားသော MOSFET များ၏ အရည်အသွေးနှင့် တစ်ခုခုဖြစ်နိုင်သည်
ဤအဆင့်တွင်၊ စျေးကွက်တွင်လျှပ်စစ်ယာဉ်များပိုမိုများပြားလာသည်နှင့်အမျှ ၎င်း၏ပတ်ဝန်းကျင်ကာကွယ်မှုအင်္ဂါရပ်များကို အသိအမှတ်ပြုထားပြီး၊ ဒီဇယ်ဆီလောင်စာရွေ့လျားနိုင်သောကိရိယာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းသစ်တွင် လျှပ်စစ်ကားများသည် အခြားသောရွေ့လျားသွားလာရေးကိရိယာများကဲ့သို့ပင်ဖြစ်သည်၊ -
MOSFET ကျရှုံးမှုကို ဘယ်လိုကာကွယ်မလဲ။
စက်မှုလုပ်ငန်း အသုံးချမှု အဆင့်တွင် ဤအဆင့်တွင်၊ ပထမအဆင့် လူသုံး အီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာ ဒက်တာ ကုန်ပစ္စည်းများ။ MOSFET ၏အဓိကအသုံးပြုမှုအရ MOSFET ၏ဒုတိယလိုအပ်ချက်မှာ ကွန်ပျူတာမားသားဘုတ်၊ NB၊ ကွန်ပျူတာပညာရှင်ပါဝါအဒက်တာ၊ LCD displ... -
လီသီယမ်ဘက်ထရီအားသွင်းခြင်းသည် ပျက်စီးရန်လွယ်ကူသည်၊ WINSOK MOSFET က သင့်ကိုကူညီပေးသည်။
Lithium သည် ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်မည့် ဘက်ထရီအမျိုးအစားသစ်ဖြစ်ပြီး ဘက်ထရီကားများတွင် ကြာရှည်စွာ အသုံးပြုလာခဲ့သည်။ လစ်သီယမ်သံဖော့စဖိတ်အားပြန်သွင်းနိုင်သောဘက်ထရီများ၏လက္ခဏာများမသိရသေးသောကြောင့်၊ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုကိုကြိုတင်လုပ်ဆောင်ရန်အတွက်၎င်း၏ဘက်ထရီအားသွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကိုအသုံးပြုရာတွင်အသုံးပြုရမည်ဖြစ်ပါသည်။ -
MOSFET ဂိတ်အရင်းအမြစ်ကာကွယ်မှု
MOSFET ကိုယ်တိုင်တွင် အားသာချက်များစွာရှိသည်၊ သို့သော် တစ်ချိန်တည်းတွင် MOSFET သည် အထူးသဖြင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော application များတွင် ပိုမိုထိခိုက်လွယ်သော ကာလတို overload စွမ်းရည်ရှိသောကြောင့် ပါဝါ MOSFET များကိုအသုံးပြုရာတွင် stab ကို တိုးမြှင့်ရန်အတွက် ၎င်း၏ထိရောက်သောကာကွယ်မှု circuit အတွက် တီထွင်ရပါမည်။ .။