-
Insulated Layer Gate MOSFET များကို အသိအမှတ်ပြုခြင်း။
လျှပ်ကာအလွှာတံခါးအမျိုးအစား MOSFET ဟုခေါ်သော MOSFET (နောင် MOSFET ဟုရည်ညွှန်းသည်)၊ တံခါးဗို့အားနှင့် အရင်းအမြစ်ယိုစီးမှုအလယ်တွင် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် ကေဘယ်အစွပ်ပါရှိသည်။ MOSFET သည် N-channel နှင့် P-channel ဟူ၍ အမျိုးအစား နှစ်မျိုးရှိသော်လည်း အမျိုးအစားတစ်ခုစီကို en...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
MOSFET ကောင်းလား မကောင်းလား ဘယ်လိုဆုံးဖြတ်မလဲ။
MOSFET ၏ အကောင်းနှင့်အဆိုး ကွာခြားချက်ကို ပြောပြရန် နည်းလမ်းနှစ်သွယ်ရှိပါသည်။ ပထမ- MOSFET များ၏ အားသာချက်များနှင့် အားနည်းချက်များကို အရည်အသွေးပိုင်းအရ ပိုင်းခြား၍ ပထမဦးစွာ multimeter R × 10kΩ ဘလောက် (embedded 9V or 15V rechargeable battery)၊ အနှုတ်ဘော (အနက်ရောင်) နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသော၊ ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
MOSFET ၏ပြင်းထန်သောအပူထုတ်လုပ်မှုကိုဖြေရှင်းရန်စိတ်ကူးများ
ပြဿနာတစ်ခုတွေ့သလားမသိပါ၊ MOSFET သည် လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း တခါတရံ ပြင်းထန်သောအပူပေးသည့် switching power supply ကိရိယာအဖြစ်လုပ်ဆောင်သည်၊ MOSFET ၏အပူပေးသည့်ပြဿနာကိုဖြေရှင်းလိုသည်၊ အကြောင်းရင်းများကို ဦးစွာဆုံးဖြတ်ရန်လိုသည်၊ ထို့ကြောင့်စမ်းသပ်ရန်လိုသည်၊ ဘယ်မှာလဲဆိုတာ သိဖို့...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဆားကစ်များတွင် MOSFET များ၏ အခန်းကဏ္ဍ
MOSFET များသည် ဆားကစ်များကို အဖွင့်အပိတ်လုပ်ပြီး အချက်ပြပြောင်းလဲခြင်းကို ထိန်းချုပ်ရန်ဖြစ်သည်။ MOSFET များကို N-channel နှင့် P-channel ဟူ၍ အမျိုးအစားနှစ်မျိုးဖြင့် ကျယ်ပြန့်စွာ ခွဲခြားနိုင်ပါသည်။ N-channel MOSFET ဆားကစ်တွင်၊ buzzer တုံ့ပြန်မှုကိုဖွင့်ရန် BEEP pin သည် မြင့်မားပြီး၊ပိုပြီးဖတ်ပါ -
MOSFET များကို ကြည့်ပါ။
MOSFET များသည် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များတွင် MOSFET များကို ကာရံထားသည်။ MOSFETs များသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနယ်ပယ်ရှိ အခြေခံအကျဆုံးစက်ပစ္စည်းများထဲမှတစ်ခုအဖြစ်၊ ဘုတ်အဆင့်ဆားကစ်များအပြင် IC ဒီဇိုင်းတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ ယိုစီးမှုနှင့် MOSFET များ၏ရင်းမြစ်ကို ပေါင်းစပ်နိုင်သည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
အခြေခံ MOSFET ခွဲခြားခြင်းနှင့် စမ်းသပ်ခြင်း။
1.Junction MOSFET pin identification MOSFET ၏ gate သည် transistor ၏ base ဖြစ်ပြီး၊ drain နှင့် source သည် သက်ဆိုင်ရာ transistor ၏ စုဆောင်းသူနှင့် emitter ဖြစ်သည်။ ရှေ့နှင့်နောက်ပြန်ခုခံမှုအား တိုင်းတာရန် ဘောပင်နှစ်ချောင်းပါသည့် R×1k ဂီယာအထိ multimeter သည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
MOSFET ပျက်ကွက်ခြင်း၏အကြောင်းရင်းများနှင့်ကာကွယ်ခြင်း။
MOSFET ချို့ယွင်းခြင်း၏ အဓိက အကြောင်းရင်း နှစ်ရပ်- ဗို့အား ချို့ယွင်းခြင်း- ဆိုလိုသည်မှာ၊ မြောင်းနှင့် ရင်းမြစ်ကြားရှိ BVdss ဗို့အားသည် MOSFET ၏ သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အားထက် ကျော်လွန်သွားပြီး MOSFET အား ပျက်ကွက်စေသည် ။ Gate Voltage Failure- ဂိတ်သည် ပုံမှန်မဟုတ်သော ဗို့အားကို ခံစားရသည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဆိုးရွားစွာပူနေသော ကျွန်ုပ်၏ MOSFET ကို ပြုပြင်ရန် ကျွန်ုပ်ဘာလုပ်နိုင်သနည်း။
တွန်းကန်အားနယ်ပယ်ရှိ ပါဝါထောက်ပံ့ရေးပတ်လမ်းများ သို့မဟုတ် ပါဝါထောက်ပံ့ရေးပတ်လမ်းများသည် အမျိုးအစားများစွာရှိပြီး လုပ်ဆောင်ချက်များစွာရှိသည့် MOSFETs ကို မလွှဲမရှောင်သာ အသုံးပြုပါ။ power supply သို့မဟုတ် propulsion applications များပြောင်းရန်အတွက်၊ ၎င်း၏ switching function ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် သဘာဝကျပါသည်။ N အမျိုးအစား မခွဲခြားဘဲ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
MOSFET conduction လက္ခဏာများ
MOSFET လျှပ်ကူးနိုင်မှုဆိုသည်မှာ ၎င်းအား ခလုတ်အပိတ်တစ်ခုနှင့် ညီမျှသည့် ခလုတ်တစ်ခုအဖြစ် အသုံးပြုကြောင်း ဆိုလိုသည်။ NMOS သည် ကန့်သတ်တန်ဖိုးထက်ကျော်လွန်သည့်အခါ လုပ်ဆောင်ခြင်းအဖြစ် လက္ခဏာရပ်ဖြစ်ပြီး၊ မြေထိန်းကိရိယာနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည့် အရင်းအမြစ်နှင့် အခြေအနေနှင့် သက်ဆိုင်သည့် အခြေအနေနှင့် သက်ဆိုင်ပြီး ဂိတ်တစ်ခုတည်းသာ လိုအပ်ပါသည်။ vol...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
MOSFET လည်ပတ်မှုလက္ခဏာများ
တကယ်တော့ MOSFET ဆိုတဲ့ နာမည်အရ ပါဝါက output current ပိုကြီးလာတဲ့အခါ ပြန်အလုပ်လုပ်နိုင်တယ်၊ MOSFET အမျိုးအစားကို အမျိုးအစားများစွာ ခွဲခြားထားတယ်၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုရဲ့ ဝိသေသလက္ခဏာတွေကို အမျိုးအစားအလိုက် တိုးမြှင့်ပေးပြီး လျော့နည်းသွားအောင် အမျိုးအစားခွဲနိုင်ပါတယ်။ အကယ်၍...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
MOSFET ၏ ထိရောက်မှု မရှိခြင်း အကြောင်းရင်းများကို လေ့လာခြင်း။
စက်မှုလုပ်ငန်း အသုံးချမှုတွင် ဤအဆင့်တွင်၊ ပထမအဆင့် လူသုံး အီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာ ဒက်တာ ကုန်ပစ္စည်းများ ၏ လျှောက်လွှာ။ ဒုတိယအဆင့်မှာ ကွန်ပျူတာမားသားဘုတ်များ၊ ကွန်ပြူတာ အဒက်တာများ၊ LCD မော်နီတာများနှင့် အခြားသော ကုန်ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ တတိယအဆင့်ကတော့ ဆက်သွယ်ရေးကွန်ရက်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
MOSFET ၏ ကန့်သတ်ချက် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းနှင့် တိုင်းတာခြင်း။
MOSFET ၏ DC လက်ရှိ၊ AC လက်ရှိ ကန့်သတ်ဘောင်ဘောင်များနှင့် ကန့်သတ်ဘောင်များ ပါ၀င်သည့် အဓိက ကန့်သတ်ဘောင် အမျိုးအစားများစွာ ရှိသော်လည်း ယေဘူယျ အပလီကေးရှင်းသည် အောက်ပါ အခြေခံ ကန့်သတ်ချက်များကိုသာ အာရုံစိုက်ရန် လိုအပ်သည်- ယိုစိမ့်မှု အရင်းအမြစ် လက်ရှိ IDSS pinch-off volt.. .ပိုပြီးဖတ်ပါ
