WINSOK MOSFET ကို အီလက်ထရွန်းနစ် အမြန်နှုန်းထိန်းညှိခြင်းများတွင် အသုံးပြုသည်။

MOSFET ၏ အခြေခံလုပ်ဆောင်မှုနိယာမ

MOSFET သည် ဗို့အားထိန်းချုပ်မှုမှတစ်ဆင့် လျှပ်စစ်စီးကြောင်းစီးဆင်းမှုကို အဖွင့်အပိတ်ပြုလုပ်ပေးသည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။အီလက်ထရွန်းနစ်အမြန်နှုန်းထိန်းညှိခြင်းများတွင် MOSFET များကို မော်တာသို့လက်ရှိစီးဆင်းမှုကိုထိန်းညှိရန်အတွက် မော်တာအမြန်နှုန်းကိုတိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်စေရန် MOSFET များကိုအသုံးပြုသည်။

 

အီလက်ထရွန်းနစ်အမြန်နှုန်းထိန်းညှိမှုများတွင် MOSFETs ၏အသုံးချမှုများ-

၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သော ကူးပြောင်းခြင်းအမြန်နှုန်းနှင့် ထိရောက်သော လက်ရှိထိန်းချုပ်နိုင်မှုစွမ်းရည်များကို အသုံးပြု၍ MOSFETs များကို PWM (Pulse Width Modulation) ဆားကစ်များတွင် အီလက်ထရွန်နစ်အမြန်နှုန်းထိန်းညှိခြင်းများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။ဤအပလီကေးရှင်းသည် အမျိုးမျိုးသောဝန်အခြေအနေများအောက်တွင် မော်တာအား တည်ငြိမ်ပြီး ထိရောက်စွာလည်ပတ်နိုင်စေရန် သေချာစေသည်။

 

မှန်ကန်သော MOSFET ကိုရွေးချယ်ပါ

အီလက်ထရွန်းနစ်အမြန်နှုန်းထိန်းညှိကိရိယာကို ဒီဇိုင်းဆွဲသည့်အခါ မှန်ကန်သော MOSFET ကိုရွေးချယ်ခြင်းသည် အရေးကြီးပါသည်။ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် ကန့်သတ်ချက်များတွင် အမြင့်ဆုံး drain-source voltage (V_DS)၊ အမြင့်ဆုံး ဆက်တိုက် ယိုစိမ့်နေသော လက်ရှိ (I_D)၊ switching speed နှင့် thermal performance တို့ ပါဝင်သည်။

အောက်ဖော်ပြပါများသည် အီလက်ထရွန်းနစ်အမြန်နှုန်းထိန်းညှိသူများရှိ WINSOK MOSFETs ၏ အပလီကေးရှင်းအစိတ်အပိုင်းနံပါတ်များဖြစ်သည်။

အပိုင်းနံပါတ်	ဖွဲ့စည်းမှု	ရိုက်ပါ။	VDS	ID (A)	VGS(th)(v)			RDS(ON)(mΩ)		Ciss	အထုပ်
								@10V
			(v)	မက်တယ်။	မင်း	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	စာရိုက်ပါ။	မက်တယ်။	(pF)
WSD3050DN	လူပျို	N-Ch	30	50	၁.၅	၁.၈	၂.၅	၆.၇	၈.၅	၁၂၀၀	DFN3X3-8
WSD30L40DN	လူပျို	P-Ch	စာ-၃၀	စာ-၄၀	-၁.၃	-၁.၈	-၂.၃	11	14	၁၃၈၀	DFN3X3-8
WSD30100DN56	လူပျို	N-Ch	30	၁၀၀	၁.၅	၁.၈	၂.၅	၃.၃	4	၁၃၅၀	DFN5X6-8
WSD30160DN56	လူပျို	N-Ch	30	၁၂၀	၁.၂	၁.၇	၂.၅	၁.၉	၂.၅	၄၉၀၀	DFN5X6-8
WSD30150DN56	လူပျို	N-Ch	30	၁၅၀	၁.၄	၁.၇	၂.၅	၁.၈	၂.၄	၃၂၀၀	DFN5X6-8

 

သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်-

WINSOK WSD3050DN သက်ဆိုင်သည့်ပစ္စည်းနံပါတ်-AOS AON7318၊AON7418၊AON7428၊AON7440၊AON7520၊AON7528၊AON7544၊AON7542။Onsemi၊FAIRCHILD NTTFS4939SMCCAYNTTFS4939N0Si8NtfNx8 -30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P။NIKO-SEM PE5G6EA

WINSOK WSD30L40DN ဆက်စပ်ပစ္စည်းနံပါတ်- AOS AON7405၊AONR21357၊AONR7403၊AONR21305C။STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA။

WINSOK WSD30100DN56 သက်ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းနံပါတ်- AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiDR390DP,SSIRNDR80DP H5၊STL58N3LLH5.INFINEON/IR BSC014N03LSG၊BSC016N03LSG၊BSC014N03MSG၊BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X။

WINSOK WSD30160DN56 သက်ဆိုင်ရာပစ္စည်းနံပါတ်- AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.PANBJITon. DC3902X။

WINSOK WSD30150DN56 သက်ဆိုင်ရာပစ္စည်းနံပါတ်- AOS AON6512၊AONS32304.Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428.NIKO-SEM PKC26BB၊PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X။

 

အီလက်ထရွန်းနစ်အမြန်နှုန်းထိန်းညှိကိရိယာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ပါ-

MOSFET ၏ လည်ပတ်မှုအခြေအနေများနှင့် ဆားကစ်ဒီဇိုင်းကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့်၊ အီလက်ထရွန်းနစ်အမြန်နှုန်းထိန်းညှိကိရိယာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုတိုးတက်ကောင်းမွန်လာစေနိုင်ပါသည်။၎င်းတွင် လုံလောက်သော အအေးပေးခြင်း၊ သင့်လျော်သော ဒရိုက်ဘာ ဆားကစ်ကို ရွေးချယ်ခြင်းနှင့် ဆားကစ်အတွင်းရှိ အခြားသော အစိတ်အပိုင်းများသည် စွမ်းဆောင်ရည် လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီကြောင်း သေချာစေခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။